[发明专利]一种采样保持与膝点检测电路

权利要求书

1.一种采样保持与膝点检测电路，用于检测原边反馈反激式变换器在副边电感电流为零时的膝点电压，其特征在于，包括缓冲器、比较器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第一电容、第二电容和电压源；

所述缓冲器的同相输入端接反馈电压，其反相输入端接其输出端，缓冲器的输出端依次通过第一电阻和第一电容后接地，将缓冲器的使能信号定义为第一使能信号，输出定义为延迟电压；

所述比较器的同相输入端接延迟电压，其反相输入端接电压源的正端，电压源的负端接反馈电压，将比较器的使能信号定义为第二使能信号，输出电压定义为判断电压，所述电压源产生固定失调电压；

所述第一NMOS管的漏极接延迟电压，其栅极接第三使能信号；

所述第二NMOS管的源极和漏极接第一NMOS管的源极，第二NMOS管的栅极接第一使能信号的反向信号，第一NMOS管源极与第二NMOS管源漏极的连接点通过第二电容后接地，将第一NMOS管源极、第二NMOS管源漏极、第二电容的连接点输出定义为膝点电压保持电压；

所述第三NMOS管的漏极接第一电阻、第一电容和第一NMOS管漏极的连接点，第三NMOS管的栅极接脉冲信号，第三NMOS管的源极接地；当原边导通时，脉冲信号为高电平，第三NMOS管打开，当副边导通时，脉冲信号为低电平，第三NMOS管关断；

当副边导通且反馈电压上升的时期，第一使能信号控制缓冲器开启，第二使能信号控制比较器关断，使延迟电压一直跟随反馈电压，从而更新第一电容的电压值；当反馈电压进入平台期后，第二使能信号控制比较器开启，在膝点到达时，比较器翻转，判断电压由低电位翻转为高电位，第三使能信号对应翻高，第一NMOS管打开进行采样，第一电容的电荷分享到第二电容，第一使能信号控制缓冲器关断使得延迟电压保持膝点电压；经过一个窄脉冲时间之后，第三使能信号翻低，第一NMOS管关断而第二NMOS管开启，同时第二使能信号控制比较器关断，第一使能信号控制缓冲器开启；

所述比较器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第十NMOS管、第十二NMOS管；所述缓冲器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第六PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第十一NMOS管；

其中，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的源极均接电源；第一PMOS管的栅漏互连，其漏极接电流源；第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的栅极均接第一PMOS管的漏极；第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管组成电流镜为电路提供偏置电流，其镜像比为1:8:4:4:4:1；

第七PMOS管的源极接第二PMOS管的漏极，第七PMOS管的栅极通过第四电阻后接反馈电压，第七PMOS管的漏极通过第二电阻后接地；

第二NMOS管的漏极通过第四电阻后接反馈电压，第二NMOS管的栅极和源极互连，第二NMOS管的源极接地；

第八PMOS管的源极接第二PMOS管的漏极，第八PMOS管的栅极接第七NMOS管的源极，第八PMOS管的漏极通过第三电阻后接地；

第四NMOS管的栅极和漏极接第三PMOS管的漏极，第四NMOS管的源极通过第二电阻后接地；第五NMOS管的漏极接第四PMOS管的漏极，第五NMOS管的栅极接第三PMOS管的漏极，第五NMOS管的源极通过第三电阻后接地；

第六NMOS管的漏极接第五PMOS管的漏极，第六NMOS管的栅极接第四PMOS管的漏极，第六NMOS管的源极接地；

第十NMOS管的漏极接第五PMOS管的漏极，第十NMOS管的栅极接第二使能信号，第十NMOS管的源极接地；

第五PMOS管漏极、第六NMOS管漏极与第十NMOS管漏极的连接点为比较器的输出端；

第七NMOS管的漏极接电源，第七NMOS管的栅极接第四PMOS管的漏极；第八NMOS管的栅极和漏极接第六PMOS管的漏极，第八NMOS管的源极接地；第九NMOS管的漏极接第七NMOS管的源极，第九NMOS管的栅极接第六PMOS管的漏极，第九NMOS管的源极接地；

第十一NMOS管的漏极接第六PMOS管的漏极，第十一NMOS管的栅极接第一使能信号，第十一NMOS管的源极接地；

第七NMOS管源极、第八PMOS管栅极与第九NMOS管漏极的连接点为缓冲器的输出端。