[发明专利]一种两相钽酸钴陶瓷块体及其制备方法

权利要求书

1.一种两相钽酸钴陶瓷块体，其特征在于，所述两相钽酸钴陶瓷块体由Co₄Ta₂O₉和CoTa₂O₆构成，且所述Co₄Ta₂O₉和CoTa₂O₆的摩尔比为X：(1-X)，1X0；

两相钽酸钴陶瓷块体的热导率为1.5～2.8W.m^-1.K^-1，断裂韧性＞2MPa.m^1/2。

2.一种两相钽酸钴陶瓷块体的制备方法，其特征在于，所述两相钽酸钴陶瓷块体由Co₄Ta₂O₉和CoTa₂O₆构成，且所述Co₄Ta₂O₉和CoTa₂O₆的摩尔比为X：(1-X)，1X0；具体包括以下步骤：

将碳酸钴进行煅烧分解，煅烧温度为430～450℃，得到氧化钴粉末；

将草酸钽进行煅烧分解，煅烧温度为910～920℃，得到氧化钽粉末；

根据待制备的两相钽酸钴陶瓷块体中由Co₄Ta₂O₉和CoTa₂O₆的摩尔比称取所述氧化钴粉末和氧化钽末，并加入介质溶剂进行研磨，干燥后得到粉末A；

将所述粉末A保温烧结，得到两相粉体B；将所述粉末A保温烧结时，烧结温度为860～880℃，保温时间为1～1.5h；

将所述两相粉体B通过冷等静压压制成型，再进行保温烧结，得到所述两相钽酸钴陶瓷块体；其中，保温烧结温度为950～980℃，保温时间为2～3h；

所述两相钽酸钴陶瓷块体的热导率为1.5～2.8W.m^-1.K^-1，断裂韧性＞2MPa.m^1/2，致密度＞99％，气孔率＜1％，晶粒尺寸＜10μm。

3.如权利要求2所述的一种两相钽酸钴陶瓷块体的制备方法，其特征在于，研磨时，转速为2360～2400r/min，研磨时间为22～24h。

4.如权利要求3所述的一种两相钽酸钴陶瓷块体的制备方法，其特征在于，所述冷等静压的压力为280～300MPa，保压时间为6～8min。