[发明专利]一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，包括半导体基板和主板(11)，其特征在于：所述半导体基板包括规则排布的五组np组合柱(1)及位于所述np组合柱(1)底部的n+漏极层(2)，所述五组np组合柱(1)的顶部设有表面n层(3)，所述表面n层(3)上设有半导体(4)，所述半导体(4)之间形成有导电沟道(5)，所述表面n层(3)上形成有相互独立的p型阱区(6)，所述n+漏极层(2)的浓度大于np组合柱(1)的浓度，所述np组合柱(1)交替设置在半导体基板内形成超结结构，所述p型阱区(6)上设有相互独立的n+源极区(7)，所述n+源极区(7)之间设有p+区(8)，所述半导体(4)的内部设有栅极(9)，所述n+漏极层(2)下表面的周侧设有绝缘保持框(12)，所述绝缘保持框(12)外表面的底部焊接有平衡板(13)，所述平衡板(13)上螺纹穿设有螺栓(14)，所述绝缘保持框(12)通过螺栓(14)与主板(11)相连接。

2.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：所述np组合柱(1)包括具有n型导电类型的n柱(101)，所述n柱(101)的一侧具有P型导电类型的p柱(102)。

3.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：所述p型阱区(6)的p形离子为硼。

4.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：所述n柱(101)与n柱(101)沿着电流流通方向在半导体基板的n+漏极层(2)上延伸。

5.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：所述任意np组合柱(1)对的导电沟道(5)的宽度与深度均相同。

6.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：所述n+源极区(7)内填充有源极金属。

7.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：所述n+漏极层(2)下表面均匀等距的设有若干个针脚(10)。

8.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：所述平衡框(13)上表面的四角处均螺纹开设有与螺栓(14)相适配的缩进式螺孔(15)，所述主板(11)上开设有与缩进式螺孔(15)相适配的安装螺孔(16)。

9.根据权利要求1-8所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：包括一下制作方法：

1)、提供具有两个相对表面的半导体基板，该半导体基板(1)包括np组合柱(1)及位于所述np组合柱(1)底部的n+漏极层(2)，所述两个相对表面包括位于半导体基板上部的第一表面和半导体基板下部的第二表面；

2)、在所述半导体基板(1)的第一表面上形成栅极氧化层；

3)、选择性刻蚀栅极氧化层，保留半导体基板(1)两个边缘的栅极氧化层，而被刻蚀的区域形成一间隙层，注入N+掺杂漏极区、注入N+掺杂源极区、以及注入P+掺杂漏极区；

4)、在栅极氧化层上形成表面n层(3)，且表面n层(3)上形成半导体(4)；

5)、所述半导体(4)之间形成的导电沟道(5)上设两层导电层，两层所述导电层分别为第一多晶硅层和第二多晶硅层。