[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 202110956604.3 | 申请日: | 2021-08-19 |
公开(公告)号: | CN113823665B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 李超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,包括主显示区、透光显示区及过渡显示区,所述过渡显示区设于所述主显示区和所述透光显示区之间,其特征在于,所述显示面板包括:
多个第一像素,位于所述主显示区;
多个第二像素,位于所述透光显示区和所述过渡显示区;
多个第一像素驱动电路,位于所述主显示区且用于驱动多个所述第一像素;
多个第二像素驱动电路,位于所述过渡显示区且形成用于驱动多个所述第二像素的多个驱动电路岛;以及
反射件,包括位于所述驱动电路岛上的多个第一反射部;其中,所述反射件还包括位于所述主显示区的多个第二反射部,所述第二反射部的单位面积占比为A,第一反射部的单位面积占比为B,所述A与所述B的差值小于或等于11.29%。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述过渡显示区与所述主显示区之间的亮度差异的百分比小于0.5%。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述过渡显示区包括第一子过渡区和第二子过渡区,所述第一子过渡区设置于所述第二子过渡区与所述透光显示区之间,所述第二子过渡区设置于所述主显示区和所述第一子过渡区之间,所述第二子过渡区包括用于设置多个所述驱动电路岛的驱动电路岛区、以及位于所述驱动电路岛之间的非驱动电路岛区;其中,
所述反射件还包括位于非驱动电路岛区的多个第三反射部以及位于所述第一子过渡区的多个第四反射部,所述第三反射部的单位面积占比为C,所述第四反射部的单位面积占比为D,所述A与所述C的差值的绝对值小于2%,所述A与所述D的差值的绝对值小于2%,所述C与所述D的差值的绝对值小于2%。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述透光显示区靠近所述第一子过渡区的边界为弧形边界,所述第一子过渡区靠近所述第二子过渡区的边界包括两相对的第一弧形边界,所述第二子过渡区靠近所述主显示区的边界包括两相对的第二弧形边界,所述第一弧形边界的曲率小于所述第二弧形边界的曲率。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二反射部的图案、所述第一反射部的图案、所述第三反射部的图案、所述第四反射部的图案均相同或相似。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,多个所述第二反射部等间距分布,多个所述第一反射部等间距分布,多个所述第三反射部等间距分布,多个所述第四反射部等间距分布。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述反射件设置于所述第一像素与所述第一像素驱动电路之间以及所述第二像素与所述第二像素驱动电路之间,至少部分所述第二反射部电性连接所述第一像素驱动电路与所述第一像素,至少部分所述第一反射部电性连接所述第二像素驱动电路与所述第二像素。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路包括:第一金属层,包括所述第一像素驱动电路的源极和漏极,以及所述第二像素驱动电路的源极和漏极;
所述第一像素和所述第二像素包括:阳极层,设置于所述第一金属层上,所述阳极层包括形成第一阳极和第二阳极;其中,
所述反射件设置于所述阳极层和所述第一金属层之间,所述反射件的部分所述第二反射部电性连接所述第一阳极与所述第一像素驱动电路的源极或漏极,所述反射件的部分所述第一反射部电性连接所述第二阳极与所述第二像素驱动电路的源极或漏极。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述反射件的材料包括层叠的ITO/Ag/ITO复合膜层、层叠的Ti/Al/Ti复合膜层、钼金属层中的任意一种。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9任一项所述的显示面板和感光元件,所述感光元件与所述显示面板的透光显示区对应设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的