[发明专利]低介电常数高品质因子锗酸盐微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.本发明公开一类介电常数ε_r在8.9～9.9之间,品质因子与谐振频率乘积(Q×f)在54,158～67,642GHz，谐振频率温度系数(τ_f)在-58.3～-47.9ppm/℃的新型低介电常数高品质因子锗酸盐微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷制备技术领域，其化学组成为Ca₃MgAGe₃O₁₂(A＝Zr,Sn,Hf)。

2.权利要求1所述的微波介质陶瓷按以下步骤制备：

(1)将CaCO₃(99％)，MgC₂O₄·2H₂O(99％)，ZrO₂(99.99％)，SnO₂(99.5％)，HfO₂(99.9％),GeO₂(99.99％)干燥粉末按Ca₃MgAGe₃O₁₂(A＝Zr,Sn,Hf)化学式称量配料；

(2)将步骤(1)中原料混合湿式手磨1-2小时，溶剂为无水乙醇，烘干后在1280℃大气气氛中预烧8小时；

(3)对由步骤(2)制得的粉末压制成型，将Ca₃MgZrGe₃O₁₂在1330℃大气气氛中烧结8小时，Ca₃MgSnGe₃O₁₂和Ca₃MgHfGe₃O₁₂在1360℃大气气氛中烧结8小时。