[发明专利]一种用于芯片的智能检测方法有效
申请号: | 202110957249.1 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN113410154B | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 郑梅枝 | 申请(专利权)人: | 广州顶冠信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 时嘉鸿 |
地址: | 510000 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 芯片 智能 检测 方法 | ||
1.一种用于芯片的智能检测方法,其特征在于,包括:
步骤1:对目标芯片进行基础检测,当基础检测合格之后,按照所述目标芯片在不同环境下的执行属性,对所述目标芯片进行区域划分,并获取每个区域的区域检测列表;
步骤2:按照所述区域检测列表,向对应区域分配检测方式列表,并基于所述检测方式列表中的检测方式对所述区域检测列表中的区域构件进行相应检测,判断所述目标芯片是否合格;
步骤1,对所述目标芯片进行基础检测,包括:
获取所述目标芯片的芯片属性,并根据所述芯片属性向所述目标芯片分配检测点;
获取所述目标芯片上的同面上的检测点,形成检测面;
确定所述目标芯片上每个检测面的检测属性,并基于所述检测属性匹配第一检测方式,按照所述第一检测方式,对对应检测面上的检测点进行单独检测;
根据每个检测面的检测属性,确定是否存在将检测面进行融合的检测;
若存在,获取融合的检测面的检测属性,得到第一属性,并匹配对应的第二检测方式,按照所述第二检测方式,对融合的检测面进行综合检测;
将单独检测结果以及综合检测结果,输入到基础检测模型中,实现对所述目标芯片的基础检测。
2.如权利要求1所述的用于芯片的智能检测方法,其特征在于,步骤1,对所述目标芯片进行基础检测之前,还包括:
检测制造所述目标芯片的芯片流程,并获取每步流程对应的芯片增加部分;
获取所述芯片流程中每步流程的流程属性;
按照所述流程属性匹配监测方式,并对对应的芯片增加部分进行监测,判断所述芯片增加部分是否合格;
若合格,将所述芯片增加部分进行保留,并继续后续的流程操作;
否则,判定所述目标芯片制造不合格,并进行报警提醒。
3.如权利要求2所述的用于芯片的智能检测方法,其特征在于,当执行完所有步流程后,还包括:
基于第一检测窗口对所述目标芯片的方向面进行第一定位,获取所述方向面的第一检测层;
基于第二检测窗口对所述目标芯片的方向面进行第二定位,获取所述方向面的第二检测层;
将所述第一检测层与第二检测层进行重叠比较,判断是否存在偏移,若存在,提取所述第一检测层基于第二检测层的第一偏移层以及第二检测层基于第一检测层的第二偏移层;
获取所述第一偏移层的第一偏移线条集合,构建第一偏移向量,同时,获取所述第二偏移层的第二偏移线条集合,构建第二偏移向量;
判断所述第一偏移向量与第二偏移向量是否为平行状态,若是,将所述第一检测层和第二检测层分别与标准层进行缺陷检测比较,若存在缺陷,获取所述缺陷的第一位置,若所述第一位置属于无关位置,判定所述目标芯片的外观合格;
若所述第一偏移向量与第二偏移向量为不平行状态,根据重叠比较结果,获取重叠特征,同时,分别获取所述第一偏移层以及第二偏移层的偏移特征;
根据所述重叠特征以及偏移特征,重构所述目标芯片的外观特征;
当所述外观特征都满足对应预设特征约束时,判定所述目标芯片的外观合格;
否则,提取不满足对应预设特征约束的待验证特征,并得到所述待验证特征的待验证面;
获取所述待验证面上的待验证缺陷痕迹,并对所述待验证缺陷痕迹进行轮廓分析以及轮廓内深度分析,确定所述待验证缺陷痕迹是否虚假缺陷,若是,判定所述目标芯片的外观合格;
否则,判定所述目标芯片的外观不合格。
4.如权利要求1所述的用于芯片的智能检测方法,其特征在于,步骤1中,按照所述目标芯片在不同环境下的执行属性,对所述目标芯片进行区域划分之前,还包括:
从所述目标芯片的历史测试平台中,获取历史测试集合;
确定所述历史测试集合中每个历史测试方案的历史测试侧重指标,获得指标集合;
对所述指标集合中的指标进行归类分析,获取在不同测试环境下的分析归类结果,并获得每类结果的可行测试属性;
其中,所述可行测试属性即为执行属性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造