[发明专利]一种强化多氯联苯微生物厌氧脱氯的方法

权利要求书

1.一种强化多氯联苯微生物厌氧脱氯的方法，由以下步骤组成：

1)将石墨电极和Ag/AgCl饱和电极置于阴极室内，将铂丝电极置于阳极室内，所述阴极室和所述阳极室通过质子交换膜进行分隔；

所述阴极室和所述阳极室内放置有厌氧培养基；

所述阴极室的厌氧培养基中还含有待处理高氯代多氯联苯和低电势的有机碳源，所述低电势的有机碳源包括乳酸、甲酸、乙酸和葡萄糖中的一种或几种；所述阴极室的厌氧培养基中还接种有PCBs脱氯菌；所述PCBs脱氯菌包括以下组分：脱卤拟球菌(Dehalococcoides)、脱硫弧菌(Desulfovibrio)、脱硫杆菌(Desulfitobacterium)和甲烷八叠球菌(Methanosarcina)；

2)在石墨电极上施加-0.3～-0.5V的电势，进行脱氯反应；

所述高氯代多氯联苯为至少五氯代多氯联苯。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脱卤拟球菌(Dehalococcoides)、脱硫弧菌(Desulfovibrio)、脱硫杆菌(Desulfitobacterium)和甲烷八叠球菌(Methanosarcina)的有效活菌数的比例为(2～4)：(1～2)：(4～5)：(1～2)；所述PCBs脱氯菌的总有效活菌数为(5～6)×10⁷cfu/mL。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待处理高氯代多氯联苯包括多氯联苯商业混合物Aroclor 1260。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述阴极室的厌氧培养基中含有的高氯代多氯联苯的起始浓度为20～30mg/mL。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阴极室的厌氧培养基中含有的低电势的有机碳源的起始浓度为8～10mM。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述厌氧培养基中还包括固态腐殖质；所述固态腐殖质在厌氧培养基中的浓度为6～7g/L。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脱氯包括第一脱氯；所述第一脱氯的时间为30～35d。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述脱氯还包括第二脱氯；所述第二脱氯的步骤包括：在所述第一脱氯后，在所述阴极室的厌氧培养基中补加高氯代多氯联苯至高氯代多氯联苯的浓度为20～30mg/mL进行第二脱氯；

所述第二脱氯的时间为7～12d。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述脱氯还包括第三脱氯；所述第三脱氯的步骤包括：在所述第二脱氯后，将所述阴极室内的悬浮培养物排出，在阴极室内加入改良厌氧培养基和高氯代多氯联苯，采用阴极形成的生物膜对高氯代多氯联苯进行第三脱氯；所述第三脱氯的时间为8～15d；所述高氯代多氯联苯的初始浓度为20～30mg/mL；

所述改良厌氧培养基以厌氧培养基为基础，还含有低电势的有机碳源；所述改良厌氧培养基中低电势的有机碳源的摩尔浓度为1～3mM。