[发明专利]模拟方法、存储媒介及模拟装置

权利要求书

1.一种模拟方法，是对层叠构造的C-V特性进行模拟的方法，所述层叠构造具备半导体、所述半导体之上的绝缘体和所述绝缘体之上的金属，

所述进行模拟的方法使用所述半导体与所述绝缘体之间的界面包含伴随于向所述金属施加的电压的变化而将电子捕获及放出的多个离散性的界面态的所述层叠构造的C-V特性模型，

所述C-V特性模型表示与所述电压的变化对应的第三电容，

所述第三电容包括与形成于所述界面的耗尽层对应的第一电容、与所述多个离散性的界面态对应的第二电容、所述绝缘体的电容，

所述第一电容和所述第二电容并联连接，并且所述绝缘体的电容与并联连接的所述第一电容和所述第二电容串联连接，

所述进行模拟的方法具有以下工序：

计算与被施加于所述金属的第一电压对应的所述第一电容；及

根据由所述多个离散性的界面态中与所述第一电压对应的第一界面态放出的电子的量来计算所述第二电容，

计算所述第二电容的工序具有通过使所述第一电压阶段性地变化来使与该第一电压对应的所述第一界面态阶段性地变化的工序。

2.根据权利要求1所述的模拟方法，其中，

在所述第三电容的计算中使用所述多个界面态的每个界面态的时间常数。

3.根据权利要求1或2所述的模拟方法，其中，

取得所述第一电容的工序具有以下工序：

根据向所述金属施加比所述第一电压高的第二电压且在所述界面态中捕获了电子时的第一电位分布来计算所述半导体中的第一电子量；

根据保持在所述界面态中捕获了电子的状态而向所述金属施加了比所述第一电压低的第三电压时的第二电位分布来计算所述半导体中的第二电子量；及

将所述第一电子量与所述第二电子量之差除以所述第二电压与所述第三电压之差。

4.根据权利要求3所述的模拟方法，其中，

根据从获得所述第二电位分布的时刻开始经过预先确定的时间而由所述界面态放出了电子时的第三电位分布来计算所述第二电容。

5.根据权利要求3或4所述的模拟方法，其中，

所述第二电压与所述第一电压之差等于所述第一电压与所述第三电压之差。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的模拟方法，其中，

所述模拟方法具有以下工序：

设定多个向所述金属施加的交流信号的频率；及

针对多个所述频率的各个频率，根据所述第一电压与所述第三电容之间的关系来计算所述层叠构造的C-V特性。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的模拟方法，其中，

所述半导体具有：

具备第一带隙的第一半导体；及

所述第一半导体之上的具备比所述第一带隙小的第二带隙的第二半导体，

所述绝缘体设于所述第二半导体之上，

所述层叠构造的C-V特性模型在所述第一半导体与所述绝缘体之间包含所述第二半导体的量子阱，

根据由所述多个离散性的界面态中与所述第一电压对应的第一界面态向所述量子阱放出的电子的量来计算所述第二电容。