[发明专利]GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片包括外延片、n电极与p电极，

所述外延片包括n-GaN衬底及依次层叠在n-GaN衬底上的第一分布式布拉格反射镜、量子阱有源层、第二分布式布拉格反射镜、p-GaN欧姆接触层，

所述第一分布式布拉格反射镜包括非掺杂的AlN/GaN超晶格结构，所述第二分布式布拉格反射镜包括AlGaN/GaN超晶格结构，

所述n电极与所述p电极则分别位于所述n-GaN衬底与所述p-GaN欧姆接触层上。

2.根据权利要求1所述的GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜的对数为20～30，所述第二分布式布拉格反射镜的对数为5～20。

3.根据权利要求2所述的GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜的厚度为200～400nm，所述第二分布式布拉格反射镜的厚度为50～250nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述外延片还包括层叠在所述p-GaN欧姆接触层上的SiOx载流子阻挡层，所述SiOx载流子阻挡层具有用于连通至所述p-GaN欧姆接触层的导流通孔。

5.根据权利要求4所述的GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述外延片还包括层叠在所述SiOx载流子阻挡层上的WOx电流扩展层，所述WOx电流扩展层位于所述p电极与所述SiOx载流子阻挡层之间。

6.根据权利要求5所述的GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述p电极的表面具有延伸至所述WOx电流扩展层的开孔，所述外延片还包括位于所述开孔内的反射结构。

7.根据权利要求6所述的GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述导流通孔的轴线与所述开孔的轴线重合，所述开孔的直径大于所述导流通孔的直径。

8.根据权利要求6所述的GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述反射结构包括TaO_x/MgF₂分布式布拉格反射镜。

9.根据权利要求8所述的GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述TaO_x/MgF₂分布式布拉格反射镜的对数为15～30。

10.一种GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一n-GaN衬底；

在所述n-GaN衬底上依次生长第一分布式布拉格反射镜、量子阱有源层、第二分布式布拉格反射镜、p-GaN欧姆接触层，所述第一分布式布拉格反射镜包括非掺杂的AlN/GaN超晶格结构，所述第二分布式布拉格反射镜包括AlGaN/GaN超晶格结构；

在所述n-GaN衬底远离所述p-GaN欧姆接触层的一面制备n电极；

在所述p-GaN欧姆接触层远离所述n-GaN衬底的一面制备p电极。