[发明专利]低辐射膜、镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种低辐射膜，其特征在于，包括：

依次层叠设置的第一电介质层、第一Ag层、第一Ag层保护层、第一电介质保护层、第二电介质层、第一遮阳层、第二Ag层、第二Ag层保护层、第二电介质保护层、第三电介质层、第二遮阳层、第三Ag层、第三Ag层保护层、第三电介质保护层、第四电介质层、ZrO层；

所述第一遮阳层、所述第二遮阳层独立为Cr层或CrNx层。

2.根据权利要求1所述的低辐射膜，其特征在于，所述第一电介质层、所述第二电介质层、所述第三电介质层、所述第四电介质层独立为硅的氮化物层或氧化物层、锌的氮化物层或氧化物层、ZnSnO_x层、钛的氧化物层、铝的氧化物层中的一种或两种以上复合。

3.根据权利要求2所述的低辐射膜，其特征在于，所述第一电介质层包括依次层叠设置的第一SiN_x层、第一ZnO_x层，其中，所述第一ZnO_x层设置在所述第一SiN_x层与所述第一Ag层之间；以及任选的，所述第二电介质层包括依次层叠设置在所述第一电介质保护层上的第一ZnSnO_x层、第二ZnO_x层；以及任选的，所述第三电介质层包括依次层叠设置在所述第二电介质保护层上的第二ZnSnO_x层、第三ZnO_x层；以及任选的，所述第四电介质层为第二SiN_x层。

4.根据权利要求1所述的低辐射膜，其特征在于，所述第一Ag层保护层、所述第二Ag层保护层、所述第三Ag层保护层独立为Ni层或NiCr层。

5.根据权利要求1所述的低辐射膜，其特征在于，所述第一电介质保护层、第二电介质保护层、第三电介质保护层为AZO。

6.根据权利要求1所述的低辐射膜，其特征在于，所述第一遮阳层的厚度是0.5～3nm；以及任选的，所述第二遮阳层的厚度是0.5～3nm。

7.一种镀膜玻璃，其特征在于，包括：

第一玻璃基板；

权利要求1至6任意一项所述的低辐射膜，附着在所述第一玻璃基板上，所述低辐射膜的所述第一电介质层与所述第一玻璃基板表面相贴。

8.根据权利要求7所述的镀膜玻璃，其特征在于，所述镀膜玻璃还包括第二玻璃基板和夹层，所述第二玻璃基板通过所述夹层贴合在所述第一玻璃基板上与所述低辐射膜相对的另一侧表面。

9.根据权利要求8所述的镀膜玻璃，其特征在于，所述第一玻璃基板、第二玻璃基板均为弯钢玻璃。

10.一种镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括：

在第一玻璃基板表面进行镀膜，以在所述第一玻璃基板表面形成如权利要求1至6任意一项所述的低辐射膜，其中，所述低辐射膜的所述第一电介质层与所述第一玻璃基板表面相贴；

以及任选的，对经镀膜后的所述第一玻璃基板进行钢化。