[发明专利]用于半导体器件的钝化结构化和镀覆

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成结构化的金属化层；

在结构化的金属化层上形成保护层；

在结构化的金属化层上形成第一钝化，其中保护层被插入在第一钝化和结构化的金属化层之间；

对第一钝化进行结构化以暴露保护层的一个或多个区；

移除保护层的一个或多个被暴露的区以暴露结构化的金属化层的一个或多个部分；

在结构化第一钝化并且移除保护层的一个或多个被暴露的区之后，在第一钝化上形成第二钝化并且对结构化的金属化层的一个或多个被暴露的部分进行无电镀覆。

2.根据权利要求1所述的方法，其中半导体衬底是SiC衬底或GaN衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在结构化的金属化层上形成保护层包括在结构化的金属化层上沉积氧化物或氮化物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中氧化物包括氧化铝、氧化锆、氧化硅、氮化硅和氮化硼中的至少之一。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在结构化的金属化层上方形成第一钝化包括：

在保护层上形成第一氮化硅层；以及

在第一氮化硅层上形成氧化物层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在结构化的金属化层上方形成第一钝化进一步包括：

在氧化物层上形成第二氮化硅层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在结构化的金属化层上方形成第一钝化包括：

在保护层上形成氧化物层；以及

在氧化物层上形成氮化硅层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中对第一钝化进行结构化包括：

在第一钝化上形成图案化的光致抗蚀剂；以及

蚀刻到第一钝化的未被图案化光致抗蚀剂保护的每个区中。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在移除保护层的一个或多个被暴露的区之前，从第一钝化移除图案化的光致抗蚀剂。

10.根据权利要求9所述的方法，其中第一钝化包括形成在保护层上的第一氮化硅层、形成在第一氮化硅层上的氧化物层和形成在氧化物层上的第二氮化硅层，其中蚀刻到第一钝化的未被图案化的光致抗蚀剂保护的每个区中包括相继地蚀刻通过第二氮化硅层、氧化物层和第一氮化硅层的未被图案化的光致抗蚀剂保护的每个区，并且其中在相继的蚀刻之后从第一钝化移除图案化的光致抗蚀剂。

11.根据权利要求1所述的方法，其中通过湿法化学蚀刻移除保护层的一个或多个被暴露的区。

12.根据权利要求1所述的方法，其中结构化的金属化层的一个或多个被暴露的部分被无电镀覆有可烧结的、可焊接的或可布线接合的材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中可烧结或可焊接的材料包括Ni、NiP、Pd、Ag或Au。

14.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在移除保护层的一个或多个被暴露的区之后并且在对结构化的金属化层的一个或多个被暴露的部分进行无电镀覆之前，活化结构化的金属化层的一个或多个被暴露的部分以用于无电沉积。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在无电镀覆结构化的金属化层的一个或多个被暴露的部分之前，清洁结构化的金属化层的一个或多个被暴露的部分。

16.根据权利要求1所述的方法，其中保护层是2 nm和20 nm之间厚，并且其中第一钝化是40 nm和5μm之间厚。