[发明专利]一种硼酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 202110960578.1 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN113563052A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 宋小强;雷文;吕文中;王晓川;张猛 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学温州先进制造技术研究院 |
主分类号: | C04B35/01 | 分类号: | C04B35/01;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;H01P1/20;H01P7/10;H05K1/03 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 叶似锦 |
地址: | 325035 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硼酸盐 基低介 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种硼酸盐基低介微波介质陶瓷,其特征在于,陶瓷主晶相的化学式为CaxB2O3+x,其中0.3≤x≤3.0。
2.如权利要求1所述的一种硼酸盐基低介微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷的介电常数为5.62~10.12。
3.如权利要求2所述的一种硼酸盐基低介微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷的介电常数优选为6.42~8.68。
4.如权利要求1或2所述的一种硼酸盐基低介微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷的品质因数为13161GHz~52416GHz。
5.如权利要求4所述的一种硼酸盐基低介微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷的品质因数优选为34682GHz~52416GHz。
6.如权利要求1或2所述的一种硼酸盐基低介微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为-20.42ppm/℃~-54.65ppm/℃。
7.如权利要求6所述的一种硼酸盐基低介微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷的谐振频率温度系数优选为-22.62ppm/℃~-34.17ppm/℃。
8.如权利要求1-7任一所述的一种硼酸盐基低介微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,包括:
(1)以CaCO3和H3BO3为原料按照按化学式CaxB2O3+x进行配料,其中0.3≤x≤3.0,为补偿高温时挥发的硼元素,在称量H3BO3时,其质量存在15wt%的过量,然后将称量后的原料依次倒入球磨罐中得到混合原料;
(2)在球磨罐中加入粉料质量1.5倍的无水乙醇作为球磨介质,在行星式球磨机上按照360r/min的转速球磨12小时,然后将球磨后的浆料在90℃烘箱中放置12小时,待粉料完全干燥后过40目尼龙筛;
(3)将经过步骤(1)和步骤(2)处理得到的粉料倒入刚玉坩埚中,然后在高温炉中于700℃预烧3小时,得到预烧后的粉料;
(4)如(2)所述,将预烧后的粉料再次进行球磨、干燥、过筛,然后加入8wt%的粘结剂对粉料进行造粒,过40目筛后加压成型,得到陶瓷坯体;
(5)将陶瓷坯体放置于高温炉中,以5℃/min的速率升温至550℃排胶1小时,然后继续以5℃/min的速率升温至750℃~1275℃下烧结3h,从而获得微波介质陶瓷。
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