[发明专利]海相高过成熟烃源岩残留烃量评价方法有效
申请号: | 202110960671.2 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN113407898B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 汪文洋;王雅萍;庞雄奇;陈掌星;张旺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院地质与地球物理研究所 |
主分类号: | G06F17/11 | 分类号: | G06F17/11;G06Q10/06;G06Q50/02 |
代理公司: | 北京市恒有知识产权代理事务所(普通合伙) 11576 | 代理人: | 郭文浩;尹文会 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 海相 高过 成熟 烃源岩 残留 评价 方法 | ||
1.一种海相高过成熟烃源岩残留烃量评价方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤S100,建立高过成熟烃源岩生烃潜力演化剖面图和烃源岩氢指数演化剖面图;建立方法具体包括:根据烃源岩热解实验获得高过成熟烃源岩生烃潜力指数、氢指数和等效境质体反射率;在镜质体缺乏的海相地层,基于所述生烃潜力指数、所述氢指数和所述等效境质体反射率,建立高过成熟烃源岩生烃潜力演化剖面图以及烃源岩氢指数演化剖面图;所述烃源岩生烃潜力演化剖面图为所述生烃潜力指数与所述等效境质体反射率的关系图;所述烃源岩氢指数演化剖面图为所述氢指数与所述等效境质体反射率的关系图;所述生烃潜力指数为;其中,分别为单位质量烃源岩样品加热到300℃、300℃-600℃时获得的烃量,单位为mg HC/g;为单位质量烃源岩中的总有机碳含量,单位mg/g;所述氢指数为;所述等效境质体反射率为,;其中,为烃源岩热解实验最高热解峰温;
步骤S200,确定高过成熟烃源岩排烃临界条件,反演烃源岩原始生烃潜力;所述高过成熟烃源岩排烃临界条件的确定方法为:根据包裹体实验获得流体包裹体均一温度分布图;基于所述流体包裹体均一温度分布图确定第一期包裹体均一温度主峰值;根据典型井沉积埋藏史及热演化史图获取在所述第一期包裹体均一温度主峰值时等温线上对应的最小值;,即为排烃临界条件对应的排烃临界成熟度;
所述高过成熟烃源岩原始生烃潜力的反演方法为:根据所述烃源岩生烃潜力演化剖面图获取生烃潜力指数包络线;+,其中,a、b、c、d均为常数;基于所述生烃潜力指数包络线和所述排烃临界成熟度,获取高过成熟烃源岩原始生烃潜力;;
步骤S300,反演高过成熟烃源岩生烃临界条件;所述高过成熟烃源岩生烃临界条件的反演方法为:基于所述烃源岩氢指数演化剖面图获取氢指数包络线;+,其中,e、f、g、h均为常数;基于所述氢指数包络线、所述烃源岩原始生烃潜力,获得高过成熟烃源岩生烃临界条件;其中为所述氢指数包络线与所述烃源岩原始生烃潜力的交点处对应的等效境质体反射率;
步骤S400,建立高过成熟烃源岩生排残留烃模型;所述高过成熟烃源岩生排残留烃模型的建立方法为:基于所述高过成熟烃源岩生烃潜力演化剖面图、所述高过成熟烃源岩氢指数演化剖面图、所述高过成熟烃源岩排烃临界条件、所述高过成熟烃源岩原始生烃潜力、所述高过成熟烃源岩生烃临界条件以及MATLAB软件,建立高过成熟烃源岩生排残留烃模型,并在模型中标识、、、和;
步骤S500,确定高过成熟烃源岩生烃率、排烃率和残留烃率;基于所述高过成熟烃源岩生排残留烃模型,计算烃源岩生烃率、烃源岩排烃率和烃源岩残留烃率;所述烃源岩生烃率为,;所述烃源岩排烃率为,;所述烃源岩残留烃率为,=;
步骤S600,计算高过成熟烃源岩残留烃强度和残留烃量;所述高过成熟烃源岩残留烃强度的计算方法具体为:根据不同热演化阶段对应的排烃率、有机质丰度、烃源岩的厚度以及密度积分,获取烃源岩在不同热演化阶段的残留烃强度;
;其中,H为烃源岩的厚度;为烃源岩的密度;为烃源岩的分布面积;为烃源岩的原始总有机碳含量;
基于所述残留烃强度获取各地质时期的残留烃总量;
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2.根据权利要求1所述的海相高过成熟烃源岩残留烃量评价方法,其特征在于,;
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