[发明专利]用于驱动压控电光调制器的驱动器电路及其系统在审
申请号: | 202110960913.8 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN114200990A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | D·盖尔曼迪 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56;G02F1/03 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱盛赟;杨洁 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 驱动 电光 调制器 驱动器 电路 及其 系统 | ||
1.一种驱动器电路(1),其用于通过根据输入电压(Vin)向压控电光调制器(5)提供输出电压(Vout)来驱动该电光调制器(5),其中
所述驱动器电路(1)包括:
用于接收具有电源电压电平(Vdd)的直流电源电压(VDD)的电源输入端(SP),
用于接收所述输入电压(Vin)的输入端(IN),其中所述输入电压(Vin)在低输入电平和高输入电平之间变化,
电平转换器电路(2),所述电平转换器电路(2)包括两个电容器(C1、C2)并且电连接到所述输入端(IN),以及
电压分配电路(3),所述电压分配电路(3)电连接在所述驱动器电路(1)的所述电平转换器电路(2)和输出端(OUT1、OUT2)之间以提供所述输出电压(Vout);
所述电平转换器电路(2)被配置成:
基于所述输入电压(Vin)并使用所述两个电容器(C1、C2)中的第一电容器(C1)来生成在所述正电源电压电平(Vdd)与大于所述正电源电压电平(Vdd)的正第一电平(L1)之间变化的第一电压(V1),以及
基于所述输入电压(Vin)并使用所述两个电容器(C1、C2)中的第二电容器(C2)来生成在接地(GND)和负第二电平(L2)之间变化的第二电压(V2);并且
所述电压分配电路(3)被配置成将所述第一电压(V1)和所述第二电压(V2)分配至所述输出端(OUT1、OUT2)以使得所述输出电压(Vout)能在等于或小于所述正电源电压电平(Vdd)的正第三电平(L3)与负第四电平(L4)之间变化,其中所述负第四电平(L4)的绝对值大于所述正第一电平(L1)的绝对值。
2.如权利要求1所述的驱动器电路(1),其中
所述正第一电平(L1)等于或小于所述正电源电压电平(Vdd)的两倍;
所述负第二电平(L2)的绝对值等于或小于所述正电源电压电平(Vdd);和/或
所述负第二电平(L4)的绝对值等于或小于所述正电源电压电平(Vdd)的三倍。
3.如权利要求1所述的驱动器电路(1),其中
所述电平转换器电路(2)包括在两个节点(n1、n2)处彼此电连接的电平向上转换器电路(2a)和电平向下转换器电路(2b);
所述电平向上转换器电路(2a)包括所述电平转换器电路(2)的所述第一电容器(C1)并且被配置成向所述电压分配电路(3)提供所述第一电压(V1);并且
所述电平向下转换器电路(2b)包括所述电平转换器电路(2)的所述第二电容器(C2)并且被配置成向所述电压分配电路(3)提供所述第二电压(V2)。
4.如权利要求3所述的驱动器电路(1),其中
所述驱动器电路(1)被配置成在所述输入电压(Vin)的基础上向所述电平转换器电路(2)的所述两个节点(n1、n2)中的第一节点(n1)提供控制电压(Vc),并向所述电平转换器电路(2)的所述两个节点(n1、n2)中的第二节点(n2)提供反相控制电压(Vc’),其中所述控制电压(Vc)在接地(GND)与所述正电源电压电平(Vdd)之间变化;
所述第一电容器(C1)经由所述电平向上转换器电路(2a)的第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nT1),即第一NMOS晶体管,在一侧连接到所述电源输入端(SP)并在另一侧连接到所述第一节点(n1),其中所述第一NMOS晶体管(nT1)的栅极端子能由所述第二节点(n2)控制;
所述第二电容器(C2)经由所述电平向下转换器电路(2b)的第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(pT1),即第一PMOS晶体管,在一侧连接到地(GND)并在另一侧连接到所述第二节点(n2),其中所述第一PMOS晶体管(pT1)的栅极端子能由所述第一节点(n1)控制。
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