[发明专利]海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法有效

专利信息
申请号: 202110961245.0 申请日: 2021-08-20
公开(公告)号: CN113407899B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 汪文洋;王雅萍;庞雄奇;陈掌星;张旺 申请(专利权)人: 中国科学院地质与地球物理研究所
主分类号: G06F17/11 分类号: G06F17/11;G06Q10/06;G06Q50/02
代理公司: 北京市恒有知识产权代理事务所(普通合伙) 11576 代理人: 郭文浩;尹文会
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 海相 高过 成熟 烃源岩排烃量 评价 方法
【说明书】:

发明属于油气勘探技术领域,旨在解决在未熟低熟烃源岩缺乏区,现有技术无法准确定量评价高过成熟烃源岩排烃量的缺陷,具体涉及一种海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法,该方法包括建立高过成熟烃源岩排烃演化剖面图;确定高过成熟烃源岩排烃临界条件,反演烃源岩原始生烃潜力,建立高过成熟烃源岩排烃模型;确定烃源岩排烃率和累积排烃量;计算高过成熟烃源岩排烃量。本发明提出的海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法,建立的排烃模型不依赖未熟低熟样品、适应于高过成熟烃源岩评价,为深层油气资源潜力评价提供科学依据,为深层油气勘探提供有力的理论指导和技术支撑。

技术领域

本发明属于油气开采技术领域,具体涉及一种海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法。

背景技术

烃源岩排烃研究是烃源岩成烃演化、油气资源潜力预测最重要的研究内容,是油气勘探决策最基本的问题之一。如何建立海相高过成熟烃源岩生排烃模型并计算其生排烃量,这是石油地质、地球化学界长期没有解决的难题,根本原因是海相高过成熟烃源岩成熟度普遍很高,缺乏未熟低熟烃源岩,无法重建烃源岩完整的生烃演化过程。

国内外学者尝试从两个方向突破:第一,用盆地浅层较新地层的低成熟海相烃源岩弥补高过成熟烃源岩研究地层低成熟烃源岩样品的缺乏,根据烃源岩总有机碳和生烃潜力的关系预测深层海相高过成熟烃源岩生排烃潜力的大小。第二,用其它盆地的低成熟海相烃源岩样品弥补高过成熟烃源岩研究区低成熟烃源岩样品的缺乏,基于生烃潜力法计算高过成熟烃源岩的生排烃量。当前业内解决该问题的思路聚焦在寻找低熟烃源岩样品,而在古老海相高过成熟烃源岩研究地层中缺乏低熟烃源岩是很普遍的现象,在中国下古生界海相地层中还没有发现过低熟烃源岩。使用同一个盆地浅层较新地层或者不同盆地的未熟低熟样品作为补充存在较大问题,不同盆地之间、相同盆地不同年代的沉积地层之间其沉积环境、有机相、有机质类型和有机质富集条件都有较大差异,而这是烃源岩成烃演化重要影响因素。烃源岩排烃特征认识不清,就难以从成因上科学地预测油气资源潜力,最终影响勘探战略科学决策。

发明内容

为了解决现有技术中的上述问题,即为了解决现有技术无法准确定量评价高过成熟烃源岩排烃量的缺陷,本发明提供了一种海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法,该方法包括以下步骤:步骤S100,建立烃源岩排烃演化剖面图。

步骤S200,确定排烃临界条件,反演烃源岩原始生烃潜力,建立高过成熟烃源岩排烃模型。

步骤S300,确定烃源岩排烃率和累积排烃量。

步骤S400,计算烃源岩排烃量。

在一些优选实施例中,所述烃源岩排烃演化剖面图的建立方法包括:根据烃源岩热解实验计算生烃潜力指数和等效境质体反射率。

基于所述生烃潜力指数、所述等效境质体反射率建立烃源岩排烃演化剖面图。

所述生烃潜力指数为;其中,分别为单位质量烃源岩样品加热到300℃、300℃-600℃时获得的烃量,单位为mg HC/g; 为单位质量烃源岩中的总有机碳含量,单位为mg/g;所述等效境质体反射率为,;其中,为烃源岩热解实验最高热解峰温。

在一些优选实施例中,所述排烃临界条件的确定方法为:根据包裹体实验获得流体包裹体均一温度分布图。

基于所述流体包裹体均一温度分布图确定第一期包裹体均一温度主峰值。

根据典型井沉积埋藏史及热演化史图获取在所述第一期包裹体均一温度主峰值时等温线上对应的最小值;为排烃临界条件对应的排烃临界成熟度。

在一些优选实施例中,所述烃源岩原始生烃潜力的反演方法为:根据所述烃源岩排烃演化剖面图获取生烃潜力指数包络线。

基于所述等效境质体反射率和所述生烃潜力指数包络线获取拟合关系式;+,其中,a、b、c、d均为常数。

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