[发明专利]不对称型变磁通记忆电机

权利要求书

1.一种不对称型变磁通记忆电机，其特征在于，包括定子铁心（1）、定子绕组（2）、转子铁心（3）、低矫顽力可变磁通永磁体（4）；

所述定子绕组（2）安装在所述定子铁心（1）上，所述低矫顽力可变磁通永磁体（4）安装在所述转子铁心（3）上，所述不对称型变磁通记忆电机所具有的转子的一对或多对磁极上设置有低矫顽力可变磁通永磁体（4），低矫顽力可变磁通永磁体（4）的中心线与转子磁极中心轴线不重合；

所述定子铁心（1）和转子铁心（3）之间具有第一间隙；

还包括高矫顽力恒定磁通永磁体（5），所述低矫顽力可变磁通永磁体（4）和高矫顽力恒定磁通永磁体（5）均安装在所述转子铁心（3）上；同一个磁极上的低矫顽力可变磁通永磁体（4）和高矫顽力恒定磁通永磁体（5）通过并联磁路的方式连接；

所述转子的一部分磁极上仅设置有低矫顽力可变磁通永磁体（4），所述转子的另一部分磁极上设置有低矫顽力可变磁通永磁体（4）和高矫顽力恒定磁通永磁体（5）；所述转子的剩余部分磁极上仅设置有高矫顽力恒定磁通永磁体（5）；或者

所述转子的一部分磁极上仅设置有低矫顽力可变磁通永磁体（4），所述转子的剩余部分上设置有低矫顽力可变磁通永磁体（4）和高矫顽力恒定磁通永磁体（5）；

所述电机的定子绕组（2）为多相对称交流电枢绕组；

所述电机的定子绕组（2）被加载直轴电枢电流或交轴电枢电流；

所述电机的定子绕组（2）采用整数槽绕组形式或分数槽绕组形式。

2.根据权利要求1所述的不对称型变磁通记忆电机，其特征在于，所述不对称型变磁通记忆电机采用内转子形式或外转子形式。

3.根据权利要求1所述的不对称型变磁通记忆电机，其特征在于，所述不对称型变磁通记忆电机采用以下任一种形式：

径向磁场旋转电机；

轴向磁场旋转电机；

直线电机。

4.根据权利要求1所述的不对称型变磁通记忆电机，其特征在于，分布在同一个转子磁极上的所述低矫顽力可变磁通永磁体（4）以及高矫顽力恒定磁通永磁体（5）的充磁方向一致，但所述低矫顽力可变磁通永磁体（4）与相邻的转子磁极上的低矫顽力可变磁通永磁体（4）充磁方向相反，所述高矫顽力恒定磁通永磁体（5）的充磁方向与相邻的转子磁极上的高矫顽力恒定磁通永磁体（5）充磁方向相反。

5.根据权利要求1所述的不对称型变磁通记忆电机，其特征在于，所述不对称型变磁通记忆电机所具有的转子采用表贴式永磁体结构，或内嵌式永磁体结构。