[发明专利]显示设备及其制造方法在审
申请号: | 202110964644.2 | 申请日: | 2021-08-19 |
公开(公告)号: | CN114628440A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 梁伸赫;姜东汉;洪淳旭;金有珍;金志训;尹汉熙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭文峰;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
提供了一种显示设备及其制造方法。所述显示设备包括:基底,包括显示区域和外围区域;以及垫单元,在外围区域处,垫单元包括:第一导电层;第二导电层,在第一导电层上,并具有第一开口;第三导电层,在第二导电层上,并具有与第一开口叠置的第二开口,第二开口具有比第一开口的在第二导电层的顶表面处的面积小的面积;有机保护层填充第一开口,并具有与第二开口叠置的第三开口;以及附加金属层,覆盖第一导电层的通过第一开口暴露的顶表面、第二开口的内表面、第三开口的内表面以及第三导电层的顶表面的一部分。
本申请要求于2020年12月9日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0171448号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示设备以及一种制造该显示设备的方法,更具体地,涉及一种包括具有减少的缺陷的垫(pad,或被称为“焊盘”)单元的显示设备以及一种制造该显示设备的方法。
背景技术
在各种显示设备之中,有机发光显示设备由于具有宽视角、高对比度和快响应时间而被视为下一代显示设备。
通常,有机发光显示设备包括形成在基底上的薄膜晶体管和有机发光二极管(OLED),并且OLED自身发光(例如,是自发光的)。有机发光显示设备可以用作用于小型产品(例如,以移动电话为例)的显示器,或者可以用作用于大型产品(例如,以电视机为例)的显示器。
在该背景技术部分中公开的以上信息是为了增强对本公开的背景的理解,因此,它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
在对比显示设备和制造对比显示设备的方法中,在制造工艺中形成垫单元之后的后续工艺期间,包括在垫单元中的布线的一部分可能被损坏(例如,可能断开),从而导致缺陷。
本公开的一个或更多个实施例涉及一种包括具有减少的缺陷的垫单元(例如,垫端子)的显示设备以及一种制造显示设备的方法。然而,本公开不限于以上方面和特征。
另外的方面和特征将在下面的描述中被部分地阐述,并且部分地通过描述将是明显的,或者可以通过实践本公开的一个或更多个给出的实施例而获知。
根据本公开的一个或更多个实施例,一种显示设备包括:基底,包括显示区域和外围区域;以及垫单元,在外围区域处,垫单元包括:第一导电层;第二导电层,在第一导电层上,并具有第一开口;第三导电层,在第二导电层上,并具有与第一开口叠置的第二开口,第二开口具有比第一开口的在第二导电层的顶表面处的面积小的面积;有机保护层,填充第一开口,并具有与第二开口叠置的第三开口;以及附加金属层,覆盖第一导电层的通过第一开口暴露的顶表面、第二开口的内表面、第三开口的内表面以及第三导电层的顶表面的一部分。
在实施例中,第二开口的内表面可以比第一开口的内表面朝向第二开口的中心突出得远。
在实施例中,垫单元还可以包括在有机保护层与第二导电层之间的延迟膜。
在实施例中,延迟膜可以包括硫和第二导电层中包括的金属的组合。
在实施例中,第二导电层可以包括铜,并且延迟膜可以包括硫化铜。
在实施例中,第一导电层、第二导电层和第三导电层可以在一个方向上延伸。
在实施例中,第一导电层的外边缘、第二导电层的外边缘和第三导电层的外边缘可以彼此对准。
在实施例中,显示设备还可以包括在显示区域处的多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管中的每个包括源电极和漏电极。源电极和漏电极中的每个可以包括包含与第一导电层的材料相同的材料的第一层、包含与第二导电层的材料相同的材料的第二层以及包含与第三导电层的材料相同的材料的第三层。
在实施例中,第一导电层可以包括钛,第二导电层可以包括铜,并且第三导电层可以包括氧化铟锡(ITO)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的