[发明专利]一种在TFT基板上确定光照区域的方法及装置

权利要求书

1.一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，所述TFT基板上阵列状排布若干像素单元，每个像素单元内设有像素电极以及与所述像素电极连接的薄膜场效应晶体管TFT；

每一行像素单元对应的TFT至少由一根第一导线连接并供给控制电压；

每一列像素单元对应的TFT至少由一根第二导线连接并供给输入电压；

控制TFT处于临界状态，通过检测TFT电流或电压是否发生变化，确定TFT是否受到设定强度范围的光照照射，从而确定光照射的区域；

所述的行和列可互换。

2.如权利要求1所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在列的位置时，控制所有TFT同时处于临界状态。

3.如权利要求1所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在列的位置时，逐列控制TFT处于临界状态。

4.如权利要求1所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在列的位置时，选定列控制TFT处于临界状态。

5.如权利要求1所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在行的位置时，逐行控制TFT处于临界状态。

6.如权利要求1所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在行的位置时，选定行控制TFT处于临界状态。

7.如权利要求1所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在行的位置时，将整个区域按行分成两部分，分别控制每一部分处于临界状态，对检测到有TFT电流或电压发生变化的部分，再次按行分成两部分；重复前述过程，直至能够确定光照所在行的位置。

8.如权利要求7所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，所述两部分平均分配，或者，所述两部分按照任意设定的比例分配。

9.如权利要求1所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，逐个控制TFT处于临界状态，通过检测TFT电流或电压是否发生变化，确定光照所在列的位置和所在行的位置。

10.如权利要求1所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，首先控制所有TFT同时处于临界状态，通过检测TFT电流或电压是否发生变化，确定有无光照射；

如果有，确定光照射所在列的位置；然后将整个区域按行分成两部分，分别控制每一部分处于临界状态，对检测到有TFT电流或电压发生变化的部分，再次分成两部分；重复前述过程，直至能够确定光照所在行的位置；

如没有，检测结束。

11.如权利要求1所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，首先控制所有TFT同时处于临界状态，通过检测TFT电流或电压是否发生变化，确定有无光照射；

如果有，确定光照所在列的位置；然后逐行控制TFT处于临界状态，通过检测TFT电流或电压是否发生变化，确定光照所在行的位置；

如没有，检测结束。

12.如权利要求1所述的一种在TFT基板上确定光照区域的方法，其特征在于，首先控制所有TFT同时处于临界状态，通过检测TFT电流或电压是否发生变化，确定有无光照射；

如果有，确定光照所在列的位置；然后按照选定行控制TFT处于临界状态，检测TFT电流或电压是否发生变化；对于检测到有TFT电流或电压发生变化的选定行，逐行控制TFT处于临界状态，直至确定光照所在行的位置；

如没有，检测结束。