[发明专利]键合晶圆的制作方法及晶圆键合机台

权利要求书

1.一种键合晶圆的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供预处理的暖机片，其中，所述暖机片具有多孔结构，所述预处理的暖机片的多孔结构内装载有水溶液；

传送所述预处理的暖机片至等离子体反应室，并在预设的压力下静置预设的时间；

向所述等离子体反应室提供至少两片待键合晶圆；

活化处理至少两片待键合晶圆的表面；

清洗活化处理后的至少两片待键合晶圆；

接合清洗后的至少两片待键合晶圆，以制得键合晶圆。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述提供预处理的暖机片，具体包括：

提供暖机片；

清洗所述暖机片；

干燥所述暖机片，以制得所述预处理的暖机片。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述清洗所述暖机片，包括：

采用所述水溶液冲洗所述暖机片。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述干燥所暖机片，包括：

按照旋干方式干燥清洗后的暖机片。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述旋干步骤中的转速小于或等于1000rpm，所述旋干步骤中的干燥时间小于等于15秒。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预设的时间大于或等于10秒，所述预设的压力小于或等于100pa。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述提供预处理的暖机片，包括：

根据待键合晶圆与预处理的暖机片的数量对应关系，确定所述至少两片待键合晶圆所对应的所述预处理的暖机片的目标数量；

按照所述目标数量提供所述预处理的暖机片；

所述传送所述预处理的暖机片至等离子体反应室，并在预设的压力下静置预设的时间，包括：

按照所述目标数量依次传送每一片所述预处理的暖机片至等离子体反应室，并在预设的压力下静置预设的时间。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述活化处理至少两片待键合晶圆的表面，具体包括：

在确定所述至少两片待键合晶圆的数量小于预设阈值时，依次活化处理每一片所述待键合晶圆的表面；

在确定所述至少两片待键合晶圆的数量大于所述预设阈值时，按照所述预设阈值的数量依次活化处理每一片所述待键合晶圆的表面，并判断剩余的待键合晶圆的数量是否大于所述预设阈值；

若是，则按所述预设阈值的数量依次活化处理每一片所述剩余的待键合晶圆的表面，并返回执行“判断剩余的待键合晶圆的数量是否大于所述预设阈值”；

若否，依次活化处理每一个所述剩余的待键合晶圆的表面。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述暖机片为设置有所述多孔结构的晶圆，所述多孔结构的孔径为20-200nm，所述多孔结构的孔深度大于1um，所述多孔结构的孔隙率大于30％。

10.一种晶圆键合机台，其特征在于，包括等离子体反应室、控制单元与所述控制单元连接的清洗单元、传送单元、设置于所述等离子体反应室内的激活单元及键合单元；

所述控制单元，用于控制所述清洗单元、所述传送单元、所述激活单元及所述键合单元的工作；

所述清洗单元，用于提供预处理的暖机片，其中，所述暖机片具有多孔结构，所述预处理的暖机片的多孔结构内装载有水溶液；

所述传送单元，用于将所述预处理的暖机片传送至所述等离子体反应室；

所述控制单元，还用于控制所述预处理的暖机片在所述等离子体反应室内按照预设的压力静置预设的时间；

所述传送单元，还用于向所述等离子体反应室提供至少两片待键合晶圆；

所述激活单元，用于活化处理至少两片待键合晶圆的表面；

所述清洗单元，还用于清洗活化处理后的至少两片待键合晶圆；

所述键合单元，用于接合清洗后的至少两片待键合晶圆，以制得键合晶圆。