[发明专利]含有铁电晶体管的集成组合件，以及形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种铁电晶体管，其包括：

作用区域，其包含第一源极/漏极区域、垂直偏离所述第一源极/漏极区域的第二源极/漏极区域，以及位于所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间的沟道区域；

第一导电栅极，其可操作地邻近所述作用区域的所述沟道区域；

绝缘材料，其位于所述第一导电栅极与所述沟道区域之间；

第二导电栅极，其邻近所述第一导电栅极，所述第二导电栅极在垂直上比所述第一导电栅极短；及

铁电材料，其位于所述第一导电栅极与所述第二导电栅极之间。

2.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中：

所述作用区域沿着横截面具有一对相对的表面；

所述第一导电栅极邻近所述相对的表面中的一个且导电结构邻近所述相对的表面中的另一个；

所述导电结构与所述沟道区域垂直重叠；且

所述绝缘材料为第一绝缘材料，且第二绝缘材料位于所述导电结构与所述沟道区域之间。

3.根据权利要求2所述的铁电晶体管，其中所述导电结构经配置以从所述沟道区域排出多余的载流子，且因此减轻浮体效应。

4.根据权利要求2所述的铁电晶体管，其中所述第一及第二绝缘材料包括彼此相同的组合物。

5.根据权利要求2所述的铁电晶体管，其中所述第一及第二绝缘材料包括相对于彼此不同的组合物。

6.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述第二导电栅极的上部表面与所述第一导电栅极的上部表面处于约相同的高度。

7.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述铁电材料在所述第一导电栅极上面延伸。

8.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述铁电材料不在所述第一导电栅极上面延伸。

9.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述沟道区域包括硅。

10.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述沟道区域包括半导体氧化物。

11.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述沟道区域包括铟、镓、锌及氧。

12.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述铁电材料具有与其相关联的平均晶粒大小，且其中所述第二导电栅极具有为所述平均晶粒大小至少约两倍大的垂直长度。

13.根据权利要求12所述的铁电晶体管，其中所述平均晶粒大小为至少约10nm。

14.一种集成组合件，其包括：

第一比较数字线；

立柱，其从所述第一比较数字线向上延伸，所述立柱包括半导体材料；所述立柱中的每一个按升序包含第一源极/漏极区域、沟道区域及第二源极/漏极区；所述第一源极/漏极区域与所述第一比较数字线耦合；

第二比较数字线，其与所述第二源极/漏极区域耦合；所述第一及第二比较数字线通过感测放大器电路系统彼此比较地耦合；

所述立柱中的每一个沿着横截面具有第一侧壁表面及相对的第二侧壁表面；

门控结构，其邻近所述第一侧壁表面且与所述沟道区域垂直重叠；所述门控结构中的每一个包含为电浮动的第一组件、与驱动器电路系统耦合的第二组件以及在所述第一组件与所述第二组件之间的铁电材料；及

导电结构，其邻近所述第二侧壁表面且与所述沟道区域垂直重叠，所述导电结构经配置以从所述沟道区域排出多余的载流子，且因此减轻浮体效应。

15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述导电结构耦合到参考电压源，且其中所述参考电压源处于在从大于或等于接地到小于或等于VCC/2的范围内的电压。