[发明专利]原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 202110966403.1 申请日: 2021-08-23
公开(公告)号: CN113564707B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 肖帆;周丹 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B7/10;C21D1/26;C22F1/18
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 周红芳
地址: 310006 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 原位 制备 001 曝露 锐钛矿型二 氧化 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)先对基体进行清洗,然后进行退火预处理,将处理后的基体再进行清洗并晾干备用;

2)将钛源、氟源、酸和异丙醇均匀混合并充分搅拌,配置成反应前驱液备用;

3)将基体与反应前驱液移至不锈钢高压反应釜中,在电热鼓风干燥箱中进行水热反应,反应结束后冷却取出基体,用去离子水进行超声清洗,获得表面有二氧化钛薄膜的基体;

步骤1)中的基体为钛、钛合金中的至少一种;

步骤2)中反应前驱液中的钛源为氟钛酸铵、氟钛酸、三氯化钛、四氟化钛、硫酸亚钛中的至少一种;

步骤2)中反应前驱液中的氟源为氟钛酸铵、氟钛酸、氟化钠、四氟化钛中的至少一种。

2.如权利要求1所述的原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,步骤2)中反应前驱液中的酸为盐酸、硫酸、硝酸、草酸、乙酸中的至少一种。

3.如权利要求1所述的原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,步骤2)中反应前驱液中的钛源浓度为0.20mM-1.60mM。

4.如权利要求1所述的原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,步骤2)中钛源与酸的摩尔比为1:9-1:100,钛源与异丙醇的摩尔比为1:25-1 :150,钛源与氟源的摩尔比为1:2-1:10。

5.如权利要求1所述的原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,步骤1)中采用的退火预处理温度是200-700℃,保温0.5h以上。

6.如权利要求1所述的原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,步骤3)中水热反应使用的反应时间为1-5h,水热反应的温度为80-200℃,水热反应后的冷却方式是水冷冷却。

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