[发明专利]微电子装置及相关存储器装置、电子系统及方法

说明书

本专利申请案涉及微电子装置及相关存储器装置、电子系统及方法。一种形成微电子装置的方法包括形成存储器阵列区域，所述存储器阵列区域包括垂直位于基底结构之上的存储器单元，所述基底结构包括半导电材料及垂直延伸到所述半导电材料中的对准标记结构。形成延伸穿过所述存储器阵列区域且到所述对准标记结构中的第一接触结构。在所述存储器阵列区域之上形成支撑结构。移除所述基底结构的一部分以暴露所述对准标记结构。形成垂直邻近所述基底结构的剩余部分的控制逻辑区域。所述控制逻辑区域包括通过部分延伸穿过所述对准标记结构且接触所述第一接触结构的第二接触结构与所述第一接触结构电连通的控制逻辑装置。

优先权主张

本申请案主张2020年8月24日申请的题为“形成微电子装置及存储器装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统(METHODS OF FORMING MICROELECTRONICDEVICES AND MEMORY DEVICES,AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES,MEMORYDEVICES,AND ELECTRONIC SYSTEMS)”的序列号为17/000,754的美国专利申请案的申请日权益。

技术领域

在各个实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更明确来说，本公开涉及形成微电子装置及存储器装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统。

背景技术

微电子装置设计者通常希望通过减小个别特征的尺寸及通过减小相邻特征之间的间隔距离来提高微电子装置内特征的集成度或密度。另外，微电子装置设计者通常希望设计不仅小型而且提供性能优点及制造设计简化、便易且不昂贵的架构。

微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，其包含(但不限于)非易失性存储器装置(例如NAND快闪存储器装置)。提高非易失性存储器装置的存储器密度的一种方式是利用垂直存储器阵列(也称为“三维(3D)存储器阵列”)架构。常规垂直存储器阵列包含延伸穿过包含导电结构及电介质材料的层级的一或多个层面(例如堆叠结构)中的开口的垂直存储器串。每一垂直存储器串可包含串联耦合到垂直堆叠存储器单元的串联组合的至少一个选择装置。与具有常规平面(例如二维)晶体管布置的结构相比，此配置通过在裸片上向上(例如垂直)构建阵列来准许更多切换装置(例如晶体管)定位于单位裸片区(即，所占用的有效表面的长度及宽度)中。

下伏于存储器装置(例如非易失性存储器装置)的存储器阵列的基底控制逻辑结构内的控制逻辑装置已用于控制对存储器装置的存储器单元的操作(例如存取操作、读取操作、写入操作)。控制逻辑装置的组合件可经提供以通过布线及互连结构与存储器阵列的存储器单元电连通。然而，用于在基底控制逻辑结构之上形成存储器阵列的处理条件(例如温度、压力、材料)会限制控制逻辑装置在基底控制逻辑结构内的配置及性能。另外，在基底控制逻辑结构内采用的不同控制逻辑装置的数量、尺寸及布置还会不良地妨碍存储器装置的大小(例如水平占用面积)减小及/或存储器装置的性能改进(例如更快存储器单元接通/关断速度、更低阈值切换电压要求、更快数据传送速率、更低功耗)。

发明内容

在一些实施例中，一种形成微电子装置的方法包括形成存储器阵列区域，所述存储器阵列区域包括垂直位于基底结构之上的存储器单元，所述基底结构包括半导电材料及垂直延伸到所述半导电材料中的对准标记结构。形成垂直延伸穿过所述存储器阵列区域且到所述基底结构的所述对准标记结构中的第一接触结构。在所述存储器阵列区域之上形成支撑结构。在所述存储器阵列区域之上形成所述支撑结构之后移除所述基底结构的一部分以暴露所述对准标记结构。形成垂直邻近所述基底结构的剩余部分的控制逻辑区域。所述控制逻辑区域包括通过部分垂直延伸穿过所述对准标记结构且接触所述第一接触结构的第二接触结构与所述第一接触结构电连通的控制逻辑装置。