[发明专利]存储器装置

说明书

提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：单元区域，在单元区域中设置有存储器块，每个存储器块包括堆叠在基底上的字线和穿透字线的沟道结构；以及外围电路区域，包括外围电路，外围电路对每个存储器块作为单位执行删除数据的擦除操作。外围电路在擦除操作中基于目标存储器块的位置、目标存储器块中包括的每条字线的高度和每个沟道结构的轮廓中的至少一者，来控制向要删除数据的目标存储器块中包括的每条字线施加的电压。

本申请要求于2020年9月22日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0122198号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种存储器装置。

背景技术

存储器装置可以提供写入数据和擦除数据或者读取记录的数据的功能。为了准确地读取写入存储器装置的数据，需要根据写入每个存储器单元的数据适当地控制阈值电压分布。当在擦除记录的数据的擦除操作之后没有适当地控制存储器单元的阈值电压分布时，在编程操作之后存储器单元的阈值电压分布也会劣化，并且存储器装置的性能会劣化。

发明内容

本发明构思的技术思想之一是通过在擦除操作中控制输入到与存储器单元和/或存储器块连接的字线的电压来使存储器单元在擦除操作之后的阈值电压分布的变化最小化，并且改善存储器装置的性能。

根据本发明构思的实施例，存储器装置包括：单元区域，在单元区域中设置有多个存储器块，所述多个存储器块中的每个包括多个存储器单元；以及外围电路区域，包括外围电路，外围电路对所述多个存储器块中的每个作为单位执行擦除操作。所述多个存储器块中的每个包括堆叠在基底上的多条字线、在与基底的上表面垂直的第一方向上延伸并且穿透所述多条字线的多个沟道结构以及形成在基底中并且连接到所述多个沟道结构的源极区域。外围电路向包括在所述多个存储器块中的至少一个存储器块中的源极区域施加擦除电压，在第一时间点将第一字线的电压从第一偏置电压改变为第二偏置电压，并且在与第一时间点不同的第二时间点将与第一字线不同的第二字线的电压从第一偏置电压改变为第二偏置电压，第一字线设置在所述多个存储器块中的所述至少一个存储器块中的一个存储器块中，第二字线设置在所述多个存储器块中的所述至少一个存储器块中的一个存储器块中。

根据本发明构思的实施例，存储器装置包括：单元区域，在单元区域中设置有多个存储器块，所述多个存储器块中的每个包括堆叠在基底上的多条字线以及穿透所述多条字线的多个沟道结构；以及外围电路区域，包括外围电路，外围电路被配置为对所述多个存储器块中的每个作为单位执行删除数据的擦除操作。外围电路被配置为：在擦除操作中，基于目标存储器块的位置、目标存储器块中包括的多条字线中的每条字线的高度和所述多个沟道结构中的每个沟道结构的轮廓中的至少一者，来控制向所述多个存储器块之中的要删除数据的目标存储器块中包括的多条字线中的每条字线施加的电压。

根据本发明构思的实施例，存储器装置包括：第一存储器平面和第二存储器平面，第一存储器平面和第二存储器平面中的每个包括第一存储器块和第二存储器块；第一外围电路，包括连接到第一存储器平面的第一页缓冲器、第一行解码器和第一字线电压产生器；以及第二外围电路，包括连接到第二存储器平面的第二页缓冲器、第二行解码器和第二字线电压产生器，其中，第一字线电压产生器和第二字线电压产生器中的每个被配置为在第一存储器块的擦除操作和第二存储器块的擦除操作中不同地控制字线电压。

附图说明

根据下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征及优点，在附图中：

图1是示意性示出根据本发明构思的示例实施例的存储器装置的图；

图2和图3是示意性示出根据本发明构思的示例实施例的存储器装置的图；

图4是提供用于描述根据本发明构思的示例实施例的存储器装置的操作的图；

图5是示意性示出根据本发明构思的示例实施例的存储器装置的框图；