[发明专利]内埋元件基板及其制作方法在审
申请号: | 202110967490.2 | 申请日: | 2021-08-23 |
公开(公告)号: | CN115714119A | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 陈禹伸;蓝仲宇 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/13;H01L21/52;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 赵平;董骁毅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种内埋元件基板,其特征在于,包含:
一复合内层线路结构,包含多个线路层,且所述多个线路层中具有至少一元件接点端;
一芯片元件,内埋于所述复合内层线路结构内,且贯穿所述多个线路层中的至少二线路层,所述芯片元件具有一顶面及相对所述顶面的一底面,所述芯片元于所述底面具有至少一表面接点;所述芯片元件以所述至少一表面接点与所述多个线路层中的所述至少一元件接点端直接连接。
2.根据权利要求1所述的内埋元件基板,其特征在于,所述复合内层线路结构具有一芯片容置槽,所述芯片容置槽贯穿所述多个线路层中的至少二线路层,所述芯片容置槽具有一设置侧壁,所述至少一元件接点端突出于所述芯片容置槽的所述设置侧壁;
所述芯片元件设置于所述芯片容置槽中,所述芯片元件的所述底面面向所述芯片容置槽中的设置侧壁,所述表面接点与所述至少二线路层的元件接点端直接连接。
3.根据权利要求2所述的内埋元件基板,其特征在于,包含:
一增层线路结构,与所述复合内层线路结构迭合设置,且封闭所述芯片容置槽的一槽开口。
4.根据权利要求3所述的内埋元件基板,其特征在于,所述芯片容置槽内具有一底壁及一环壁,其中所述设置侧壁为所述环壁的一部份;所述内埋元件基板进一步包含:
一金属屏蔽层,覆盖所述芯片容置槽的底壁及所述设置侧壁之外的部分环壁,且所述金属屏蔽层连接所述增层线路结构,且通过所述增层线路结构电性连接一接地端。
5.一种内埋元件基板制作方法,其特征在于,包含以下步骤:
提供一复合内层线路结构,所述复合内层线路结构包含多个线路层;
对所述复合内层线路结构进行一钻孔程序,以形成一芯片容置槽,所述芯片容置槽贯穿所述多个线路层中的至少二线路层,且所述芯片容置具有一设置侧壁;
对所述芯片容置槽进行一除胶渣程序,使得所述多个线路层的至少一元件接点端突出于所述设置侧壁;
将一芯片元件设置于所述芯片容置槽中,使所述芯片元件内埋于所述复合内层线路结构内而贯穿所述多个线路层中的至少二线路层,且使所述芯片元件的一表面接点对准所述至少一元件接点端;
将所述芯片元件的表面接点与所述线路层的元件接点端直接连接。
6.根据权利要求5所述的内埋元件基板制作方法,其特征在于,包含:
进行一线路增层程序,以在所述复合内层线路结构上设置一增层线路结构,所述增层线路结构封闭所述芯片容置槽的一槽开口。
7.根据权利要求6所述的内埋元件基板制作方法,其特征在于,当形成所述芯片容置槽后,还包含以下步骤:
对所述芯片容置槽内进行一电镀程序,以在所述芯片容置槽的一底壁及一环壁上形成一金属屏蔽层;
对部分的环壁进行一磨片程序,以移除覆盖所述部分的环壁的金属屏蔽层,并露出部分的环壁,以及露出所述线路层的元件接点端;其中,所述露出的部份的环壁是所述设置侧壁;
对所述设置侧壁进行一除胶渣程序,使得所述线路层的至少一元件接点端突出于所述设置侧壁。
8.根据权利要求7所述的内埋元件基板制作方法,其特征在于,所述线路增层程序包含以下步骤:
在所述复合内层线路结构上覆盖一增层介电层,所述增层介电层封闭所述芯片容置槽的一槽开口;
对所述增层介电层进行一钻孔程序,以形成一沟槽,所述沟槽连通所述金属屏蔽层的一上缘;
在所述增层介电层上及所述沟槽中设置一增层线路层,所述增层线路层包含一屏蔽层上盖部,所述屏蔽层上盖部是一平面状线路,在所述复合内层线路结构上的一垂直投影覆盖所述芯片容置槽的槽开口,且在所述沟槽中与所述金属屏蔽层上缘接合;其中,所述金属屏蔽层通过增层线路层电性连接一接地端。
9.根据权利要求6所述的内埋元件基板制作方法,其特征在于,将所述芯片元件的表面接点与所述线路层的元件接点端直接连接的步骤中,所述芯片元件的表面接点与所述线路层的元件接点端是以升温扩散焊接或超音波焊接程序接合。
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