[发明专利]真空蒸镀装置用的蒸镀源

说明书

本发明提供一种可尽量抑制蒸镀中被处理基板和掩模板的温度上升的真空蒸镀装置用的蒸镀源。配置在真空室内用于对被处理基板进行蒸镀的真空蒸镀装置用的蒸镀源(DS)，其具有填充蒸镀材料(Vm)的容器(41)和加热该容器内的蒸镀材料的加热装置(43)，容器具有排放部(44)，其可排放通过加热而在该容器内气化或升华了的蒸镀材料，在由于伴随由加热装置进行的蒸镀材料的加热而被加热，所以对被处理基板辐射热线的容器部分(41a，44a，44b)上，设置比该容器的母材辐射率低的低辐射率层(Le)。

技术领域

本发明涉及一种配置在真空室内用于对被处理基板进行蒸镀的真空蒸镀装置用的蒸镀源，更具体而言，涉及一种设置为抑制在蒸镀中的被处理基板和掩模板温度上升的蒸镀源。

背景技术

具有这种蒸镀源的真空蒸镀装置是已知的，例如专利文献1。其中，蒸镀源配置在真空室的底部，蒸镀源具有填充蒸镀材料的容器和加热该容器内的蒸镀材料的加热装置。在容器的上表面，多个排放喷嘴(排放部)留出规定间隔地排列设置在一个方向上，所述排放喷嘴可排放气化或升华的蒸镀材料。并且，在真空气氛的真空室内，加热容器内的蒸镀材料并使其升华或气化，使升华或气化的蒸镀材料按规定的余弦定理从各排放喷嘴排放，附着、堆积到相对于蒸镀源进行相对移动的被处理基板上蒸镀(成膜)规定的薄膜。此时，在容器上表面的周围或各排放喷嘴的周围，通常配置有护套加热器等加热装置，通过也加热排放喷嘴尽量防止蒸镀时的喷嘴堵塞。再有，以往已知的是，在蒸镀时，通过在蒸镀源和被处理基板之间插入限制蒸镀物质对该被处理基板的附着范围的掩模板(即以规定的掩模图案形成了多个贯通板厚度方向的开口的部件)，以规定的成膜图案在被处理基板上进行蒸镀。

此处，在容器和排放喷嘴加热时，存在被处理基板和掩模板也被热线的辐射加热，使被处理基板和掩模板发生热膨胀的情况。此时，如果热膨胀量产生差值，则(各开口相对于被处理基板错位)会引发不能按规定的成膜图案而精度良好地进行蒸镀的问题。因此，本申请的发明人提出与容器的上表面相对配置隔热板，其上开设通孔，排放喷嘴穿过该通孔，使得只有排放喷嘴成为热源，从而在蒸镀过程中，抑制被处理基板和掩模板被加热(例如参照专利文献2)。

再有，近年来，要蒸镀在被处理基板上的成膜图案的微型化进一步提高，相应地，掩模板上形成的开口的宽度也进一步变窄(开口宽度在几μm以下)。此时，当掩模板被热线的辐射加热时，存在掩模板上形成的各开口歪斜的情况，如此要高精度(换言之，没有所谓的掩模模糊)地进行蒸镀可能无法实现。为此，如何在蒸镀时抑制被处理基板和掩模板温度上升就成了重要的技术问题。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本专利公开2014-77193号公报

【专利文献2】日本专利公开2019-167593号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

鉴于以上内容，本发明的技术问题是提供一种可尽量抑制蒸镀中的被处理基板和掩模板温度上升的真空蒸镀装置用的蒸镀源。

解决技术问题的手段

为解决上述技术问题，配置在真空室内用于对被处理基板进行蒸镀的本发明的真空蒸镀装置用的蒸镀源，其特征在于：具有填充蒸镀材料的容器和加热该容器内的蒸镀材料的加热装置，容器具有排放部，其可排放通过加热而在该容器内气化或升华了的蒸镀材料，在因为伴随通过加热装置进行的蒸镀材料的加热而被加热，所以对被处理基板辐射热线的容器部分上，设置比该容器的母材辐射率低的低辐射率层。在本发明中，所述排放部采用突出设置在与所述被处理基板相对的所述容器的上表面的排放喷嘴构成，当具有加热该排放喷嘴的另一加热装置时，所述容器部分为排放喷嘴的内表面，可采用在排放喷嘴的内表面上设置低辐射率层的结构。