[发明专利]一种无线充电系统的驱动电路构建方法及系统

权利要求书

1.一种无线充电系统的驱动电路构建方法，其特征在于，包括：

计算桥臂串扰分析拓扑中的一个SiC MOSFET关断时，与该SiC MOSFET互补的另一个SiC MOSFET的负向桥臂串扰电压；

所述桥臂串扰分析拓扑包括依次连接的直流电源、高频逆变器、原边补偿电容、松耦合变压器、副边补偿电容、整流器和负载；所述高频逆变器包括四个SiC MOSFET结构，其中两个所述SiC MOSFET结构串联构成左半桥对桥臂，另外两个所述SiC MOSFET结构串联构成右半桥对桥臂；各所述SiC MOSFET结构均包括一个SiC MOSFET；所述左半桥对桥臂中的两个SiC MOSFET互补，所述右半桥对桥臂中的两个SiC MOSFET互补；

将一个SiC MOSFET关断时，与该SiC MOSFET互补的另一个SiC MOSFET的正向桥臂串扰电压置为零，根据所述负向桥臂串扰电压构建无线充电系统的驱动电路。

2.根据权利要求1所述的一种无线充电系统的驱动电路构建方法，其特征在于，所述计算桥臂串扰分析拓扑中的一个SiC MOSFET关断时，与该SiC MOSFET互补的另一个SiCMOSFET的负向桥臂串扰电压，具体包括：

当桥臂串扰分析拓扑中的一个SiC MOSFET关断时，基于关断延迟和密勒效应，构建电路关系式；所述电路关系式表示另一个SiC MOSFET的电压电容关系；

基于所述电路关系式和变化率，确定另一个SiC MOSFET的负向桥臂串扰电压的表达式；所述变化率为另一个SiC MOSFET的漏源电压从初始值下降到零的线性变化率；

根据洛必达求极限法则，使所述表达式中的所述变化率趋于无穷大，得到另一个SiCMOSFET的负向桥臂串扰电压。

3.根据权利要求2所述的一种无线充电系统的驱动电路构建方法，其特征在于，所述电路关系式为：

其中，V_ds1为与关断的SiCMOSFET互补的另一个SiCMOSFET的漏源电压；V_gd1为与关断的SiC MOSFET互补的另一个SiC MOSFET的漏栅电压；V_gs1为与关断的SiCMOSFET互补的另一个SiC MOSFET的栅源电压；C_gd1为与关断的SiC MOSFET互补的另一个SiC MOSFET的漏栅电容；C_gs1为与关断的SiCMOSFET互补的另一个SiCMOSFET的栅源电容；R_g1为内部寄生电阻；R_gext1为外部驱动电阻，t表示时间。

4.根据权利要求2所述的一种无线充电系统的驱动电路构建方法，其特征在于，所述表达式为：

其中，V_gs1为与关断的SiCMOSFET互补的另一个SiCMOSFET的栅源电压；k_f为变化率；C_gd1为与关断的SiC MOSFET互补的另一个SiC MOSFET的漏栅电容；R_g1为内部寄生电阻；R_gext1为外部驱动电阻；C_gs1为与关断的SiC MOSFET互补的另一个SiCMOSFET的栅源电容；U_dc为直流电源电压。

5.根据权利要求2所述的一种无线充电系统的驱动电路构建方法，其特征在于，所述负向桥臂串扰电压的计算公式为：

其中，V_gs1为与关断的SiCMOSFET互补的另一个SiCMOSFET的栅源电压；k_f为变化率；C_gd1为与关断的SiCMOSFET互补的另一个SiCMOSFET的漏栅电容；C_gs1为与关断的SiCMOSFET互补的另一个SiCMOSFET的栅源电容；U_dc为直流电源电压。

6.根据权利要求1所述的一种无线充电系统的驱动电路构建方法，其特征在于，所述无线充电系统的驱动电路中的SiC MOSFET采用零压关断。