[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
申请号: | 202110969074.6 | 申请日: | 2021-08-23 |
公开(公告)号: | CN114121756A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 孔云;宋智勋;文雄助;朴芝镐;崔源锡 | 申请(专利权)人: | 杰宜斯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁小龙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法,该基板处理装置包括:旋转卡盘部,以能够旋转的方式设置于驱动部;真空卡盘部,配置于所述旋转卡盘部,并且供晶片放置;环盖部,沿着所述真空卡盘部的外围部配置,以加压所述晶片从而密封所述真空卡盘部的外围部侧;以及卡紧模块,设置于所述旋转卡盘部,以使所述环盖部固定于所述旋转卡盘部。根据本发明,随着卡紧基座的旋转,多个第一卡紧连杆部和多个晶片限制部同时移动,因此可以利用一个卡紧旋转部将晶片限制在真空卡盘部。因此,能够减少设置于卡紧模块的卡紧旋转部的个数。
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法,更详细而言,涉及一种能够提高基板的处理性能、缩短基板的处理时间的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
一般而言,在半导体工序中,进行蚀刻晶片的蚀刻工序、将晶片切割成多个模具的分离工序、清洗晶片的清洗工序等。在晶片蚀刻工序或清洗工序中,使用基板处理装置。
基板处理装置以可旋转的方式设置,由上部放置有晶片的旋转台和以环状结合于旋转台的边缘区域的密封环等构成。在旋转台旋转的状态下,向放置于旋转台的晶片供应处理液。
然而,现有的基板处理装置在清洗被切割成多个模具的晶片时,难以去除多个模具之间的间隙上残存的异物。另外,为了去除多个模具之间的间隙中的异物,需要充分延长清洗时间,因此会增加清洗时间。
另外,将密封环结合到旋转台的上部的过程复杂,结合时密封环的结合完成状态不确定,可能产生结合误差(歪扭等)。进一步地,产生密封环的结合误差的情况下,随着处理液向密封环的外侧浸入,可能损伤台的周边的结构件。
另外,为防止晶片位置变动而设置晶片固定模块,并设置用于固定密封环的密封环固定模块。因此,基板处理装置的结构变得复杂,可能会增加制造费用。
本发明的背景技术记载于韩国公开专利公报第10-2016-0122067号(2016年10月21日公开,发明名称:晶片处理设备以及用于晶片处理设备的密封环)。
发明内容
要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种能够提高基板的处理性能、缩短基板的处理时间的基板处理装置及基板处理方法。
解决技术问题的手段
根据本发明的基板处理装置,其特征在于,包括:旋转卡盘部,以能够旋转的方式设置于驱动部;真空卡盘部,配置于所述旋转卡盘部,并且供晶片放置;环盖部,沿着所述真空卡盘部的外围部配置,以加压所述晶片从而密封所述真空卡盘部的外围部侧;以及卡紧模块,设置于所述旋转卡盘部,以使所述环盖部固定于所述旋转卡盘部。
所述卡紧模块可以包括:卡紧基座,设置于所述旋转卡盘部;卡紧旋转部,连接于所述卡紧基座,以使所述卡紧基座旋转;多个第二卡紧连杆部,以径向的方式连接于所述卡紧基座,并且在所述卡紧基座旋转时移动;以及多个盖限制部,连接于所述第二卡紧连杆部,以在所述第二卡紧连杆部移动时使所述环盖部固定于所述旋转卡盘部。
所述盖限制部可以包括:盖限制轴部,以能够旋转的方式设置于所述旋转卡盘部;限制齿轮部,连接于所述第二连杆齿轮部;盖限制条,连接于所述盖限制轴部以加压和释放所述环盖部;以及限制辊部,以能够旋转的方式设置于所述盖限制条以便与所述环盖部滚动接触。
所述盖限制轴部可以包括:轴结合部,轴结合于所述限制齿轮部;弹性部件,夹在所述轴结合部与所述限制齿轮部之间;以及高度调节部,设置于所述轴结合部和所述限制齿轮部,以调节所述轴结合部的高度。
在所述限制齿轮部上可以形成有多边形的旋转防止部,所述轴结合部的内部形成有多边形的旋转防止槽部,以供所述旋转防止部插入。
所述盖限制轴部还可以包括:位置固定部,螺纹结合于所述轴结合部的外侧,以将所述高度调节部限制于所述轴结合部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造