[发明专利]晶圆键合强度的测量方法及设备

权利要求书

1.一种晶圆键合强度的测试方法，其特征在于，所述方法包括：

在第一晶圆上的待测区域内形成凸起结构；所述凸起结构具有第一高度；

将第二晶圆与所述第一晶圆键合，在所述待测区域内形成气泡；在晶圆键合后，所述凸起结构在所述待测区域内具有第二高度；所述第二高度小于所述第一高度；

测量所述气泡的直径；

根据所述气泡的直径，确定所述第一高度与所述第二高度的高度差；

根据所述高度差，确定晶圆键合强度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述高度差，确定晶圆键合强度，包括：根据如下公式，确定所述晶圆键合强度：

γ＝Y×Δh

其中，γ为所述晶圆键合强度，Y为晶圆的杨氏模量，Δh为所述高度差。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量所述气泡的直径，包括：

利用超声波扫描测量所述气泡的直径。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述气泡的直径，确定所述第一高度与所述第二高度的高度差，包括：

根据所述气泡的直径，确定所述第二高度；

根据所述第一高度与所述第二高度之差，确定所述高度差。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述气泡的直径，确定所述第二高度，包括：

根据所述气泡的直径与比例系数，确定所述第二高度；其中，所述比例系数为所述气泡的直径与所述第二高度之间的比值。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一晶圆上的待测区域内形成凸起结构，包括：

在所述第一晶圆上形成具有第一高度的形成层；

在所述形成层上的特定区域上覆盖光刻胶层；所述特定区域为所述第一晶圆上的待测区域在所述形成层上对应的区域；

去除所述特定区域以外的所述形成层；

去除所述特定区域上的所述光刻胶层，形成具有第一高度的所述凸起结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凸起结构为柱体。

8.一种晶圆键合强度的测试设备，其特征在于，所述设备包括：

第一键合组件，用于固定待键合的第一晶圆；

第二键合组件，用于固定待键合的第二晶圆；其中，所述第二键合组件与所述第二晶圆的接触面和所述第一键合组件与所述第一晶圆的接触面相对；

凸起结构制造组件，用于在所述第一键合组件的待测区域内形成具有第一高度的凸起结构；其中，在所述第一晶圆与所述第二晶圆键合后，所述待测区域内形成气泡；所述凸起结构在所述待测区域内具有第二高度；

测量组件，位于第一键合组件上方，用于测量所述气泡的直径；

处理组件，连接所述测量组件，用于根据所述气泡的直径，确定晶圆键合强度。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述测量组件，包括：

超声波检测单元，用于利用超声波扫描测量所述气泡的直径。

10.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述凸起结构制造组件包括：

沉积单元，用于在所述第一晶圆上形成具有第一高度的形成层；

光刻胶单元，用于在所述形成层上的特定区域上覆盖光刻胶层；所述特定区域为所述第一晶圆上的待测区域在所述形成层上对应的区域；

第一清洗单元，用于去除所述特定区域以外的所述形成层；

第二清洗单元，用于去除所述特定区域上的所述光刻胶层。