[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。在加热处理衬底的衬底处理装置中，即使衬底间的处理环境变化也能使衬底间的膜质均匀。具有如下工序：搬入工序，将衬底搬入处理室；膜处理工序，在将设置于处理室的上游的簇射头所具备的分散板用簇射头加热器加热的同时，经由分散板向处理室内的衬底供给气体，并且将气体从处理室排气；搬出工序，将衬底从处理室搬出；温度测定工序，在接下来待处理的衬底的搬入前测定簇射头的温度；和温度调节工序，在温度测定工序后，对簇射头的温度与预先设定的温度信息进行比较，在其差比规定值大的情况下，以使设置于簇射头的簇射头加热器工作从而接近预先设定的温度的方式进行控制。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为制造半导体器件的装置，存在按每一片衬底进行处理的单片装置(例如专利文献1)。在单片装置中，例如对衬底进行加热并且向衬底上供给气体，从而形成构成半导体器件的一部分的膜。

对多个衬底形成相同种类的膜时，期望将温度条件设为相同。衬底温度会受加热器、处理室壁的影响。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012―54399号公报

发明内容

发明所要解决的课题

处理多个衬底时，需要进行衬底的更换。然而，在更换时处理室的温度下降等，在其前后处理环境有时发生改变。其结果，在衬底间引起膜质的偏差。

本发明的目的在于，在对衬底进行加热处理的衬底处理装置中，即使衬底间的处理环境变化也仍使衬底间的膜质均匀。

用于解决课题的手段

本发明提供具有如下工序的技术：搬入工序，将衬底搬入处理室；膜处理工序，在将设置于前述处理室上游的簇射头所具备的分散板用簇射头加热器加热的同时，经由前述分散板向前述处理室内的前述衬底供给气体，并且将前述气体从前述处理室进行排气；搬出工序，将前述衬底从前述处理室搬出；温度测定工序，在接下来待处理的前述衬底的搬入前测定前述簇射头的温度；和温度调节工序，在前述温度测定工序后，对前述簇射头的温度与预先设定的温度信息进行比较，在簇射头的温度与预先设定的温度之差比规定值大的情况下，以使设置于前述簇射头的簇射头加热器工作从而接近前述预先设定的温度的方式进行控制。

发明效果

根据本发明的一方式，在对衬底进行加热处理的衬底处理装置中，即使衬底间的处理环境变化也能够使衬底间的膜质均匀。

附图说明

图1是示出本发明的一方式中涉及的衬底处理装置的概略构成例的说明图。

图2是说明本发明的一方式中涉及的衬底处理装置所具备的气体供给部的说明图。

图3是说明本发明的一方式中涉及的衬底处理装置所具备的簇射头加热器的说明图。

图4是说明本发明的一方式中涉及的衬底处理装置所具备的簇射头加热器与其周边构成的说明图。

图5是说明本发明的一方式中涉及的衬底处理装置的控制器的说明图。

图6是说明本发明的一方式中涉及的衬底处理装置所具备的控制器具有的表格的说明图。

图7是说明本发明的一方式中涉及的衬底处理装置所具备的控制器具有的表格的说明图。

图8是说明本发明的一方式中涉及的衬底处理装置所具备的控制器具有的表格的说明图。

图9是说明本发明的一方式中涉及的衬底处理工序的流程图。

图10是说明本发明的一方式中涉及的膜处理工序的流程图。