[发明专利]一种用于改进谐波的射频开关电路

权利要求书

1.一种用于改进谐波的射频开关电路，其特征在于，包括：

串联支路模块：包括2N个第一开关晶体管(M11)、2N个第一源漏电阻(Rds1)、2N个栅极偏置电阻(R11)、2N个体区偏置电阻(R12)、2N-1个第一栅极串联电阻(R21)、2N-1个体区串联电阻(R22)、一个第一栅极公共端电阻(R31)以及一个体区公共端电阻(R32)；所述N为正整数；第1级第一开关晶体管(M11)的漏极与第一射频输入输出端口(RF1)相连，第1级第一开关晶体管(M11)的源极与第二级第一开关晶体管(M11)的漏极相连，第1级第一开关晶体管(M11)的源极、漏极分别与第一源漏电阻(Rds1)的两端相连；第1级第一开关晶体管(M11)的栅极与第1级栅极偏置电阻(R11)的一端相连，第1级栅极偏置电阻(R11)的另一端与第1级第一栅极串联电阻(R21)的一端相连；第1级第一开关晶体管(M11)的体区与第1级体区偏置电阻(R12)的一端相连，第1级体区偏置电阻(R12)的另一端与第1级体区串联电阻(R22)的一端相连；第二级至第2N-1级的的第一开关晶体管(M11)、第一源漏电阻(Rds1)、栅极偏置电阻(R11)、第一栅极串联电阻(R21)、体区偏置电阻(R12)、体区串联电阻(R22)的连接方式按照以上所述连接进行类推连接；第2N级第一开关晶体管(M11)的漏极与第2N-1级第一开关晶体管(M11)的源极相连，第2N级第一开关晶体管(M11)的源极与第二射频输入输出端口(RF2)相连，第2N级第一开关晶体管(M11)的源极、漏极分别与第一源漏电阻(Rds1)的两端相连，第2N级第一开关晶体管(M11)的栅极与第2N级栅极偏置电阻(R11)的一端相连，第2N级栅极偏置电阻(R11)的另一端与第2N-1级第一栅极串联电阻(R21)的一端相连；第2N级第一开关晶体管(M11)的体区与第2N 级体区偏置电阻(R12)的一端相连，第2N级体区偏置电阻(R12)的另一端与第2N-1级体区串联电阻(R22)的一端相连；

并联支路模块：包括2M个第二开关晶体管(M12)、2M个偏置晶体管(M2)、2M个第二源漏电阻(Rds2)、2M个第二栅极偏置电阻(R4)、2M-1个第二栅极串联电阻(R5)和1个第二栅极公共端电阻(R6)；所述M为正整数；第1级第二开关晶体管(M12)的漏极与第一射频输入输出端口(RF1)相连，第1级第二开关晶体管(M12)的源极与第2级第二开关晶体管(M12)的漏极相连，第1级第二开关晶体管(M12)的源极、漏极分别与第二源漏电阻(Rds2)的两端相连，第1级第二开关晶体管(M12)的体区与第1级偏置晶体管(M2)的漏极相连，第1级偏置晶体管(M2)的漏极与栅极相连，第1级偏置晶体管(M2)的源极与第1级第二开关晶体管(M12)的栅极相连，第1级第二开关晶体管(M12)的栅极与第1级栅极偏置电阻(R4)的一端相连，第1级栅极偏置电阻(R4)的另一端与第1级第二栅极串联电阻(R5)的一端相连；以此类推，第2级到第2M-1级的第二开关晶体管(M12)、偏置晶体管(M2)、第二源漏电阻(Rds2)、第二栅极偏置电阻(R4)、第二栅极串联电阻(R5)的连接方式与以上所述相同；

所述第2M级第二开关晶体管(M12)的漏极与第2M-1级第二开关晶体管(M12)的源极相连，第2M级第二开关晶体管(M12)的源极与地相连，第2M级第二开关晶体管(M12)的源极、漏极分别与第二源漏电阻(Rds2)的两端相连，第2M级第二开关晶体管(M12)的体区与第2M级偏置晶体管(M2)的漏极相连，第2M级偏置晶体管(M2)的漏极与栅极相连，第2M级偏置晶体管(M2)的源极与第2M级第二开关晶体管(M12)的栅极相连，第2M 级第二开关晶体管(M12)的栅极与第2M级偏置晶体管(M2)的一端相连，第2M级第二栅极偏置电阻(R4)的另一端与第2M-1级第二栅极串联电阻(R5)的一端相连。

2.根据权利要求1所述的一种用于改进谐波的射频开关电路，其特征在于，所述第N级栅极偏置电阻(R11)的一端与第一栅极公共端电阻(R31)的一端相连，所述第一栅极公共端电阻(R31)的另一端与栅极控制电压(VG1)相连。

3.根据权利要求1所述的一种用于改进谐波的射频开关电路，其特征在于，所述第N级体区偏置电阻(R12)的一端与体区公共端电阻(R32)的一端相连，所述体区公共端电阻(R32)的另一端与体区控制电压(VG2)相连。

4.根据权利要求1所述的一种用于改进谐波的射频开关电路，其特征在于，所述第2M级第二栅极偏置电阻(R4)的一端与第二栅极公共端电阻(R6)的一端相连，所述第二栅极公共端电阻(R6)的另一端与栅极控制电压(VG3)相连。