[发明专利]一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法

权利要求书

1.一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法，其特征在于，取负载MXenes薄膜的导电基底为工作电极，构建三电极体系，外加电压并进行电场调控，即实现对MXenes薄膜非线性光学性能的调控。

2.根据权利要求1所述的一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法，其特征在于，三电极体系中所用电解液为1M的硫酸溶液。

3.根据权利要求1所述的一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法，其特征在于，三电极体系中，对电极为铂电极，参比电极为银电极。

4.根据权利要求1所述的一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法，其特征在于，外加电压的时间为20～40s。

5.根据权利要求1所述的一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法，其特征在于，电压变化范围为-0.8V～0.2V。

6.根据权利要求1所述的一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法，其特征在于，所述的导电基底为石英玻璃。

7.根据权利要求1所述的一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法，其特征在于，所述负载MXenes薄膜的导电基底的制备过程包括以下步骤：

(1)取氟化锂溶解在盐酸溶液中，加入Ti₃AlC₂，离心并去除上层酸性溶液，直至溶液pH至为7，接着继续离心并保留上层溶液，即得到分散有MXenes纳米片的胶体溶液；

(2)取导电基底置于胶体溶液中，采用提拉法制得MXenes薄膜，然后干燥、退火，即得到负载MXenes薄膜的导电基底。

8.根据权利要求7所述的一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法，其特征在于，步骤(1)中，氟化锂、盐酸溶液与Ti₃AlC₂的添加量之比为：1g:(15-20)ml:1g，其中，盐酸溶液的浓度为12M。

9.根据权利要求7所述的一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法，其特征在于，步骤(1)中，加入Ti₃AlC₂后，在30-40℃下搅拌20-30小时。

10.根据权利要求7所述的一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法，其特征在于，步骤(2)中，提拉法制备MXenes薄膜的具体过程为：将导电基底浸泡在MXenes胶体溶液中3分钟，以1-3mm s^-1的恒定速度拉出，室温空气干燥5分钟，重复操作若干次；

退火工艺条件具体为：在100-300℃的氮气气氛下进行退火，时间为1-3小时。