[发明专利]一种锑基光阴极Sb2 在审
| 申请号： | 202110973810.5 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113675283A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 杨佳;张君;杨海艳;王薇;侯堪文;黄滔;张雅婷;徐宝强;李绍元;杨斌;马文会;熊恒;刘大春;李一夫;田阳;蒋文龙;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0336 | 分类号： | H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/036;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 | 代理人： | 朱维 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 锑基光 阴极 sb base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构，其特征在于：由p型Sb2S3薄膜底层、Sb2S3/Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3薄膜顶层组成。
2.权利要求1所述锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
(1)在基底上溅射Sb得到Sb薄膜；
(2)Sb薄膜经硫化反应得到Sb2S3薄膜；
(3)Sb2S3薄膜与氧气反应生成Sb2S3/Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3薄膜顶层得到锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构。
3.根据权利要求2所述锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构的制备方法，其特征在于：步骤(1)基底包含但不限于ITO、FTO、普通玻璃。
4.根据权利要求2所述锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构的制备方法，其特征在于：步骤(1)溅射方法包括但不限于气相沉积法、喷雾热解法、化学浴沉积法、电沉积法、蒸发镀膜法、等离子镀膜法、PECVD镀膜法。
5.根据权利要求2所述锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构的制备方法，其特征在于：步骤(2)硫化反应的硫源为固体硫源或气体硫源，固体硫源为硫单质、黄铜矿或硫铁矿，气体硫源为H2S或SO2。
6.根据权利要求2所述锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构的制备方法，其特征在于：步骤(3)氧气的纯度不低于99.99％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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