[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构，其中，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构由隔离层分隔开；

在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上形成间隔件层；

形成与所述第一鳍结构相邻的第一间隔件结构，其中，所述第一间隔件结构在所述隔离层之上具有第一高度；

在所述第一鳍结构上形成与所述第一间隔件结构相邻的第一外延结构，其中，所述第一外延结构包括第一类型掺杂剂；

形成与所述第二鳍结构相邻的第二间隔件结构，其中，所述第二间隔件结构在所述隔离层之上具有比所述第一高度大的第二高度；以及

在所述第二鳍结构上形成与所述第二间隔件结构相邻的第二外延结构，其中，所述第二外延结构包括与所述第一类型掺杂剂不同的第二类型掺杂剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述间隔件层包括：

在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上沉积第一介电材料层；以及

在所述第一介电材料层上沉积与所述第一介电材料不同的第二介电材料层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述间隔件层包括：

在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上沉积氮化硅层；以及

在所述氮化硅层上沉积碳氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一间隔件结构包括：

以第一蚀刻速率去除所述间隔件层的位于所述第一鳍结构上的部分；以及

以比所述第一蚀刻速率大的第二蚀刻速率去除所述第一鳍结构的部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二间隔件结构包括：

以第一蚀刻速率去除所述间隔件层的位于所述第二鳍结构上的部分；以及

以比所述第一蚀刻速率大的第二蚀刻速率去除所述第二鳍结构的部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一间隔件结构和形成所述第二间隔件结构包括：

以第一蚀刻速率去除所述第一鳍结构的部分；以及

以第二蚀刻速率去除所述第二鳍结构的部分，其中，所述第一蚀刻速率与所述第二蚀刻速率的比率在约2至约5范围内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一外延结构包括：

形成具有第一掺杂剂浓度的第一外延层；

形成具有比所述第一掺杂剂浓度大的第二掺杂剂浓度的第二外延层；以及

形成具有比所述第二掺杂剂浓度小的第三掺杂剂浓度的第三外延层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一外延结构和形成所述第二外延结构包括：

外延生长具有(110)小平面的所述第一外延结构；以及

外延生长具有(111)小平面的所述第二外延结构。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构，其中，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构由隔离层分隔开；

在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上形成栅极结构；

在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构、所述隔离层以及所述栅极结构上形成间隔件层；

在所述第一鳍结构的相对侧壁上形成第一对间隔件结构，其中，所述第一对间隔件结构在所述隔离层之上具有第一高度；

在所述第一鳍结构上以及所述第一对间隔件结构之间形成第一外延结构，其中，所述第一外延结构包括第一类型掺杂剂；

在所述第二鳍结构的相对侧壁上形成第二对间隔件结构，其中，所述第二对间隔件结构在所述隔离层之上具有比所述第一高度大的第二高度；以及

在所述第二鳍结构上以及所述第二对间隔件结构之间形成第二外延结构，其中，所述第二外延结构包括与所述第一类型掺杂剂不同的第二类型掺杂剂。

10.一种半导体器件，包括：

第一鳍结构和第二鳍结构，位于衬底上；

隔离层，位于所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间；

第一外延结构和第二外延结构，所述第一外延结构位于所述第一鳍结构上，所述第二外延结构位于所述第二鳍结构上，其中，所述第一外延结构包括第一类型掺杂剂，并且所述第二外延结构包括与所述第一类型掺杂剂不同的第二类型掺杂剂；以及

第一间隔件结构和第二间隔件结构，所述第一间隔件结构与所述第一外延结构相邻并且在所述隔离层之上具有第一高度，并且所述第二间隔件结构与所述第二外延结构相邻并且在所述隔离层之上具有第二高度，所述第一高度小于所述第二高度。