[发明专利]一种用于制作晶体管的芯片及其制作方法、晶体管

权利要求书

1.一种用于制作晶体管的芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底的上表面形成掺杂金刚石层；

对所述衬底和所述掺杂金刚石层进行退火处理，使所述掺杂金刚石层转化为石墨烯层；

在所述石墨烯层的上表面形成缓冲层；

在所述缓冲层的上表面形成异质结构及器件，得到芯片。

2.如权利要求1所述的用于制作晶体管的芯片的制作方法，其特征在于，当晶体管为高电子迁移率晶体管时，所述在所述缓冲层的上表面形成异质结构包括：

在所述缓冲层的上表面形成高迁移率层；

在所述高迁移率层的上表面形成势垒层；

在所述势垒层的上表面形成盖帽层。

3.如权利要求2所述的用于制作晶体管的芯片的制作方法，其特征在于，在所述缓冲层的上表面形成高迁移率层之后，还包括：

在所述高迁移率层的上表面形成插入层；

相应的，在所述高迁移率层的上表面形成势垒层包括：

在所述插入层的上表面形成所述势垒层。

4.如权利要求2所述的用于制作晶体管的芯片的制作方法，其特征在于，所述高迁移率层的厚度在10nm～100nm之间，包括端点值。

5.如权利要求1所述的用于制作晶体管的芯片的制作方法，其特征在于，所述石墨烯层的厚度在1nm～10nm之间，包括端点值。

6.如权利要求1所述的用于制作晶体管的芯片的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度在1μm～3μm之间，包括端点值。

7.如权利要求2所述的用于制作晶体管的芯片的制作方法，其特征在于，所述势垒层为Al_xGa_1-xN层，其中，0.10≤x≤0.35。

8.如权利要求1至7任一项所述的用于制作晶体管的芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述石墨烯层的上表面形成缓冲层包括：

采用金属有机物化学气相沉积法，在所述石墨烯层的上表面形成所述缓冲层。

9.一种用于制作晶体管的芯片，其特征在于，所述芯片采用如权利要求1至8任一项所述的用于制作晶体管的芯片的制作方法制得。

10.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括如权利要求9所述的芯片。