[发明专利]一种低电导率勃姆石及其制备方法在审
| 申请号： | 202110975558.1 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113479919A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 张轲轲;刘金成;王韶晖;蒋学鑫 | 申请（专利权）人： | 安徽壹石通材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01F7/02 | 分类号： | C01F7/02;C01F7/30 |
| 代理公司： | 合肥中博知信知识产权代理有限公司 34142 | 代理人： | 管秋香 |
| 地址： | 233400 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电导率 勃姆石 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低电导率勃姆石，其特征在于：所述勃姆石的电导率＜15μs/cm。
2.根据权利要求1所述的低电导率勃姆石，其特征在于：所述勃姆石中二价金属离子的含量小于1ppm。
3.权利要求1所述的低电导率勃姆石的制备方法，其特征在于：向制备勃姆石的前驱物水溶液中加入硫酸盐，经水热反应后将得到的浆料抽滤、清洗，烘干，即可得到低电导率勃姆石。
4.根据权利要求3所述的低电导率勃姆石的制备方法，其特征在于：所述硫酸盐为硫酸钠、硫酸钾、硫酸铵、硫酸铝、硫酸铝钾中的一种。
5.根据权利要求3所述的低电导率勃姆石的制备方法，其特征在于：所述硫酸盐加入的比例为前驱物质量的2％～50％。
6.根据权利要求3所述的低电导率勃姆石的制备方法，其特征在于：所述前驱物为氢氧化铝、氧化铝、三水铝石、拜耳石中的一种。
7.根据权利要求3所述的低电导率勃姆石的制备方法，其特征在于：所述水热反应的温度为150～250℃，时间为10～40h。
8.权利要求1-7任一项所述的低电导率勃姆石在制备锂电池隔膜涂层中的应用。
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