[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区和标记区；

第一开口位于所述标记区，所述第一开口至少包括一个开口；

对准标记层填入所述第一开口，所述对准标记层的顶表面与所述衬底表面齐平；

外延层位于所述衬底表面，第二开口位于所述器件区上的外延层内，所述第二开口至少包括一个开口；掺杂层填入所述第二开口，所述掺杂层顶表面与外延层表面齐平。

2.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区和标记区；

外延层位于所述衬底表面；

第一开口位于所述标记区的外延层内，所述第一开口至少包括一个开口；

第二开口位于所述器件区的外延层内，所述第二开口至少包括一个开口；

对准标记层填入所述第一开口内，所述对准标记层的顶表面与所外延层表面齐平；

第二开口位于所述器件区上的外延层内，掺杂层填入所述第二开口，所述掺杂层顶表面与外延层表面齐平。

3.一种半导体器件形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区和标记区；

在所述标记区表面形成若干第一对准标记结构；

以所述第一对准标记结构为基准进行第一图形化，在所述器件区内形成第一器件结构；

以所述第一对准标记结构为基准进行第二图形化，在所述器件区内形成第二器件结构。

4.如权利要求3所述的一种半导体器件形成方法，其特征在于，形成所述第一对准标记结构的方法包括：在所述标记区上和所述器件区上形成对准标记层；在所述对准标记层上形成第一光刻胶层；所述第一光刻胶层内具有若干位于标记区上的光刻开口；以图形化的第一光刻胶层为掩膜，对所述对准标记层进行刻蚀工艺，在所述标记区表面形成所述第一对准标记结构。

5.如权利要求4所述的一种半导体器件形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述对准标记层之前，在所述衬底表面形成第一保护层；在形成所述第一光刻胶层之前，在所述对准标记层上形成第一硬掩膜层；在对所述对准标记层进行刻蚀工艺之前，以所述第一光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一硬掩膜层，形成第一掩膜结构。

6.如权利要求5所述的一种半导体器件形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料包括：氧化物；所述第一保护层的厚度范围是

7.如权利要求5所述的一种半导体器件形成方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或氧化钛。

8.如权利要求4所述的一种半导体器件形成方法，其特征在于，所述对准标记层的材料包括：介电材料；所述介电材料包括：氮化硅、二氧化硅、碳化硅、硼化硅、含碳的氮化硼、含碳和氧的氮化硼、氮化钛、掺钨的碳、含金属的碳化物或含金属的氮化物；所述对准标记层的厚度范围在

9.如权利要求4所述的一种半导体器件形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一光刻胶层之前，在所述对准标记层上形成底部抗反射层、介质抗反射层中的一者、或多者重叠。

10.如权利要求3所述的一种半导体器件形成方法，其特征在于，所述第一器件结构包括位于器件区内的阱区。

11.如权利要求10所述的一种半导体器件形成方法，其特征在于，所述第一器件结构形成的方法包括：以所述第一对准标记结构进行对准，在所述衬底上形成第一图形化层，所述第一图形化层内具有第一图形开口，所述第一图形开口位于部分所述器件区上；以所述第一图形化层为掩膜进行离子注入，在所述器件区内形成所述阱区。

12.如权利要求11所述的一种半导体器件形成方法，其特征在于，所述第一图形化层包括图形化的第二光刻胶层。