[发明专利]铸锭单晶硅块的质量判定方法和铸锭单晶硅块

权利要求书

1.一种铸锭单晶硅块的质量判定方法，其特征在于，其步骤包括：

将铸锭单晶硅块的头部统一去除30-60mm左右；

利用光致发光测试仪测量所述铸锭单晶硅块的头部端面的光致发光测试图片，并计算得到所述光致发光测试图片的黑丝面积比例值D_S；

测量并计算所述铸锭单晶硅块的端面面积S；

建立黑丝生长计算模型，确定硅块去除长度L与预设端面黑丝面积比例值D_L的关系式L（D_L, ⍺），其中， ⍺为位错生长角度；

根据所述预设端面黑丝面积比例值D_L和所述关系式L（D_L, ⍺），计算得到所述硅块去除长度L的值；

根据所述硅块去除长度L的值进行所述铸锭单晶硅块的头部去除。

2.如权利要求1所述的一种铸锭单晶硅锭的质量判定方法，其特征在于，步骤（4）中，所述关系式L（D_L, ⍺）为：

其中，L为硅块去除长度；S为硅块端面面积，D_S为硅块头部端面的黑丝面积比例值，D_L为预设硅块端面的黑丝面积比例值，⍺为位错生长角度。

3.如权利要求1所述的一种铸锭单晶硅块的质量判定方法，其特征在于，步骤（4）中，所述铸锭单晶硅块的晶向为（100），所述位错生长角度⍺的确定公式为： ⍺=45/2v，其中v为晶体生长速度。

4.如权利要求3所述的一种铸锭单晶硅块的质量判定方法，其特征在于，所述晶体生长速度v通过原始硅锭的高度以及原始硅锭的凝固时间计算得到。

5.如权利要求4所述的一种铸锭单晶硅块的质量判定方法，其特征在于，所述v的值为0.50-1.20cm/h。

6.如权利要求3所述的一种铸锭单晶硅块的质量判定方法，其特征在于，铸锭单晶硅块为中心区域硅块的v值大于铸锭单晶硅块为边缘区域硅块或边角区域硅块的v值。

7.如权利要求2所述的一种铸锭单晶硅块的质量判定方法，其特征在于，铸锭单晶硅块为中心区域硅块时，所述D_L的值为15%-20%；铸锭单晶硅块为边缘区域硅块或边角区域硅块时，所述D_L的值为10%-15%。

8.一种铸锭单晶硅块，其特征在于，采用如权利要求1-8任一所述的铸锭单晶硅块的判定方法制备得到。