[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管，包括：

半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包含第一区域以及与所述第一区域不重叠的第二区域；

多个孔洞，包括多个第一孔洞和多个第二孔洞，所述第一孔洞和所述第二孔洞穿过所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层以裸露所述第一半导体层的一部分表面，所述第一孔洞位于所述第一区域，所述第二孔洞位于所述第二区域；

连接电极，形成于所述半导体叠层之上，所述连接电极通过所述第一孔洞和所述第二孔洞与所述第一半导体层电连接；

第一焊盘电极，形成在所述半导体叠层第一区域上，所述第一焊盘电极与所述连接电极接触，所述第一焊盘电极通过所述连接电极电连接至所述第一半导体层；

第二焊盘电极，形成在所述半导体叠层第二区域上，电连接至所述第二半导体层；

其中，所述第一孔洞中所述第一半导体层表面的面积小于所述第二孔洞中所述第一半导体层表面的面积。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一孔洞的孔径小于所述第二孔洞的孔径。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，远离所述第一区域的第二孔洞的孔径大于靠近所述第一区域的第二孔洞的孔径。

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一孔洞的数量小于所述第二孔洞的数量。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第二孔洞的间距随着远离所述第一区域而减小。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述半导体叠层的第一区域和第二区域之上，所述第一绝缘层包含第一开口以露出所述第一半导体层的一部分表面，在半导体叠层生长方向上，所述第一开口与所述第一孔洞和所述第二孔洞至少部分重叠。

7.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，在平面图视角中，所述第一开口位于所述第一孔洞和所述第二孔洞内。

8.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，位于所述第一区域的所述第一开口的宽度小于位于所述第二区域的所述第一开口的宽度。

9.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，位于所述第一区域的所述第一开口的数量小于位于所述第二区域的所述第一开口的数量。

10.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述连接电极包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一开口内，所述连接电极通过所述第一绝缘层与所述第二半导体层电绝缘，所述连接电极通过所述第一开口与所述第一半导体层接触。

11.根据权利要求10所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述连接电极与所述第一区域的所述第一半导体层接触的面积小于所述连接电极与所述第二区域的所述第一半导体层接触的面积。

12.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括金属层，所述金属层位于所述半导体叠层与所述第一绝缘层之间，所述金属层具有反射率大于60%的金属。

13.根据权利要求12所述的倒装发光二极管，其特征在于，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述半导体叠层的第一区域和第二区域上，所述第二绝缘层具有第三开口以裸露出所述连接电极的一部分表面和第四开口以裸露出所述金属层的一部分表面。

14.根据权利要求13所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第三开口位于所述第一区域之上，所述第四开口位于所述第二区域之上。