[发明专利]一种含硫空位NiS量子点/S,N,O共掺杂碳电极材料及其制备方法有效
申请号: | 202110977446.X | 申请日: | 2021-08-24 |
公开(公告)号: | CN113694952B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 王德宝;孙畅鸿;宋彩霞;谢玉珂 | 申请(专利权)人: | 乌海瑞森新能源材料有限公司 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;B01J35/02;C02F1/461;C02F1/467;C02F1/72;C25B11/054;C25B11/065;C25B11/091;C25B1/04;C25B1/50;C25B3/05;C25B3/07;C25B3/23;C02F101/30 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 空位 nis 量子 掺杂 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种含硫空位NiS量子点/S,N,O共掺杂碳电极材料的制备方法,其特征在于,含有硫空位的NiS量子点均匀镶嵌在生长于碳布上的S,N,O共掺杂碳网络中,形成碳布自支撑的复合电极材料,所述电极材料用于5-羟甲基糠醛电氧化制备2,5-呋喃二甲酸和水的电还原制氢,通过一步完成的热解、硫化与耦合协同反应来制备,具体包括下述步骤:
(1)将0.001-0.1mol NiCl2·6H2O、0.001-0.2mol甲基硫脲嘧啶、0.001-0.5mol乙二醇混合,在40-90℃的油浴锅中加热搅拌0.1-2h,形成均相液体;
(2)将步骤(1)所得均相液体,均匀地滴涂在碳布表面,将所得碳布放入瓷舟中,用铝箔包裹瓷舟,将包裹的瓷舟放入管式炉中,用高纯氮气置换空气,在密闭条件下,以2-10℃/min的速度加热至400-600℃,保温0.5-5h,得到在碳布上生长的含硫空位NiS量子点/S,N,O共掺杂碳网络结构复合材料。
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