[发明专利]一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110979407.3 申请日: 2021-08-25
公开(公告)号: CN113816885B 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 方书农;王溯;耿志月;唐晨 申请(专利权)人: 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
主分类号: C07C381/12 分类号: C07C381/12;C07C309/12;C07C303/32;C07C25/18;C07C17/35;G03F7/004
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 王卫彬;陈卓
地址: 201616 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 arf 光源 光刻 用多鎓盐型光产酸剂 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种鎓盐的制备方法,其特征在于,所述鎓盐的制备方法包括以下步骤:在溶剂中,将式(II)所示的化合物与式(A-1)所示的化合物或式(B-1)所示的化合物进行成盐反应,得到所述鎓盐;

所述鎓盐具有阴离子和鎓离子,所述阴离子具有式(I)所示的结构,所述鎓离子具有式(A)或式(B)所示的结构,所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性;

其中,M+为Li+、Na+或K+

Hal-为F-、Cl-、Br-或I-

R1、R2、R3和R4分别独立地为H或F;

L1和L2为其中a端与苯环相连;

p和q分别独立地为0、1、2、3或4;

X为其中

n1、n2和n3分别独立地为1、2、3、4或5;

m1、m2和m3分别独立地为0、1、2、3或4;

Ra和Rb分别独立地为卤素、C1-20烷基或C1-20烷氧基;Ra和Rb的个数分别独立地为0至5个;

z为(p+q+2+n1×m1)、(p+q+2+n2×m2)或(p+q+2+n3×m3)。

2.如权利要求1所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,

M+为Na+

和/或,Hal-为Cl-

和/或,R1、R2、R3和R4相同;

和/或,p和q相同;

和/或,结构单元为

和/或,n1为2;

和/或,n2为1;

和/或,n3为1或2;

和/或,m1为1;

和/或,m2为0或2;

和/或,m3为1。

3.如权利要求1所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,

结构单元为

和/或,为

和/或,为

和/或,为

4.如权利要求3所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,

和/或,为

和/或,为

5.如权利要求1至4中任一项所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,所述阴离子具有式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)或式(I-4)所示的结构,

其中,R1、R2、R3、R4、L1、L2、m1、m2、m3、n1、n2、n3、p和q的定义如权利要求1至4中任一项所述。

6.如权利要求1所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,所述阴离子为以下任一结构:

和/或,所述鎓离子为:

7.如权利要求6所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,所述鎓离子为

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司,未经上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110979407.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top