[发明专利]一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的制备方法有效
申请号: | 202110979407.3 | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN113816885B | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 方书农;王溯;耿志月;唐晨 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司 |
主分类号: | C07C381/12 | 分类号: | C07C381/12;C07C309/12;C07C303/32;C07C25/18;C07C17/35;G03F7/004 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 王卫彬;陈卓 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 arf 光源 光刻 用多鎓盐型光产酸剂 制备 方法 | ||
1.一种鎓盐的制备方法,其特征在于,所述鎓盐的制备方法包括以下步骤:在溶剂中,将式(II)所示的化合物与式(A-1)所示的化合物或式(B-1)所示的化合物进行成盐反应,得到所述鎓盐;
所述鎓盐具有阴离子和鎓离子,所述阴离子具有式(I)所示的结构,所述鎓离子具有式(A)或式(B)所示的结构,所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性;
其中,M+为Li+、Na+或K+;
Hal-为F-、Cl-、Br-或I-;
R1、R2、R3和R4分别独立地为H或F;
L1和L2为其中a端与苯环相连;
p和q分别独立地为0、1、2、3或4;
X为其中
n1、n2和n3分别独立地为1、2、3、4或5;
m1、m2和m3分别独立地为0、1、2、3或4;
Ra和Rb分别独立地为卤素、C1-20烷基或C1-20烷氧基;Ra和Rb的个数分别独立地为0至5个;
z为(p+q+2+n1×m1)、(p+q+2+n2×m2)或(p+q+2+n3×m3)。
2.如权利要求1所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,
M+为Na+;
和/或,Hal-为Cl-;
和/或,R1、R2、R3和R4相同;
和/或,p和q相同;
和/或,结构单元为
和/或,n1为2;
和/或,n2为1;
和/或,n3为1或2;
和/或,m1为1;
和/或,m2为0或2;
和/或,m3为1。
3.如权利要求1所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,
结构单元为
和/或,为
和/或,为
和/或,为
4.如权利要求3所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,
为
和/或,为
和/或,为
5.如权利要求1至4中任一项所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,所述阴离子具有式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)或式(I-4)所示的结构,
其中,R1、R2、R3、R4、L1、L2、m1、m2、m3、n1、n2、n3、p和q的定义如权利要求1至4中任一项所述。
6.如权利要求1所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,所述阴离子为以下任一结构:
和/或,所述鎓离子为:
7.如权利要求6所述的鎓盐的制备方法,其特征在于,所述鎓离子为
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