[发明专利]一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的应用

权利要求书

1.一种鎓盐作为光产酸剂在光刻胶中的应用，其特征在于，所述鎓盐具有阴离子和鎓离子，所述阴离子具有式(I)所示的结构，所述鎓离子具有式(A)或式(B)所示的结构，所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性：

其中，R¹、R²、R³和R⁴分别独立地为H或F；

L¹和L²为其中a端与苯环相连；

p和q分别独立地为0、1、2、3或4；

X为其中

n1、n2和n3分别独立地为1、2、3、4或5；

m1、m2和m3分别独立地为0、1、2、3或4；

R^a和R^b分别独立地为卤素、C_1-20烷基或C_1-20烷氧基；R^a和R^b的个数分别独立地为0至5个。

2.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述式(I)所示的结构中，

R¹、R²、R³和R⁴相同；

和/或，p和q相同；

和/或，结构单元为

和/或，n1为2；

和/或，n2为1；

和/或，n3为1或2；

和/或，m1为1；

和/或，m2为0或2；

和/或，m3为1。

3.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述式(I)所示的结构中，

结构单元为

和/或，为例如

和/或，为例如

和/或，为例如

4.如权利要求1至3中任一项所述的应用，其特征在于，所述阴离子具有式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)或式(I-4)所示的结构，

其中，R¹、R²、R³、R⁴、L¹、L²、m1、m2、m3、n1、n2、n3、p和q的定义如权利要求1至3中任一项所述。

5.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述阴离子为以下任一结构：

和/或，所述鎓离子为：

例如

6.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述鎓盐为如下方案中的任一种：

方案1：所述阴离子为所述鎓离子为所述鎓离子的个数为3个；

方案2：所述阴离子为所述鎓离子为所述鎓离子的个数为4个；

方案3：所述阴离子为所述鎓离子为所述鎓离子的个数为4个；

方案4：所述阴离子为所述鎓离子为所述鎓离子的个数为4个；

方案5：所述阴离子为所述鎓离子为所述鎓离子的个数为6个；

方案6：所述阴离子为所述鎓离子为所述鎓离子的个数为2个。

7.一种光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物包括如下组分：如权利要求1至6中任一项所述的鎓盐、树脂、添加剂和有机溶剂。

8.如权利要求7所述光刻胶组合物，其特征在于，所述树脂具有如(A)所示的结构其中所述树脂的重均分子量可以为8000-9000g/mol；

和/或，所述添加剂为C_1-4烷基季铵碱，例如四甲基氢氧化铵；

和/或，所述有机溶剂为酯类溶剂，例如丙二醇甲醚乙酸酯；

和/或，以重量份计，所述鎓盐为2-10重量份，例如4重量份；

和/或，以重量份计，所述树脂为20-120重量份，例如100重量份；

和/或，以重量份计，所述添加剂为0.1-1重量份，例如0.5重量份；

和/或，以重量份计，所述有机溶剂为500-2000重量份，例如1000重量份。