[发明专利]一种高边电平移位和驱动电路

权利要求书

1.一种高边电平移位和驱动电路，包括逻辑电路、低电平产生电路和高电平产生电路；其特征在于，

所述逻辑电路的输入端连接有DRIVER信号和所述低电平产生电路的反馈信号；所述逻辑电路的输出端连接有所述低电平产生电路的第一支路的NMOS管、第二支路的NMOS管、第一功率NMOS管的栅极以及高电平产生电路的NMOS管的栅极，所述逻辑电路的供电电源为V_CC，接地为GND；

所述低电平产生电路包括第一支路、第二支路、第一功率NMOS管、第二功率NMOS管以及反馈NMOS管；每个支路包括电流源、NMOS管、电阻以及PMOS管分组；在每个支路中，所述电流源的一端接GND，所述电流源的另一端连接NMOS管的源极，NMOS管的漏级连接电阻的一端，电阻的另一端连接PMOS管分组的漏级，PMOS管分组的源极接V_IN；第一支路的电阻的另一端还连接有反馈NMOS管的栅极，反馈NMOS管的漏级连接逻辑电路的输入端，反馈NMOS管的源极连接第二功率NMOS管的源极；第二支路的电阻的一端还连接有反馈NMOS管、第二功率NMOS管的源极以及第一功率NMOS管的漏级，并输出至高电平产生电路的DRIVER_H信号；所述第一功率NMOS管的源极接GND；第二支路的电阻的另一端还连接有第二功率NMOS管的栅极，第二功率NMOS管的漏级接V_IN；

所述高电平产生电路包括电流源、NMOS管和两个PMOS管，电流源的一端接GND，所述电流源的另一端接NMOS管的源极，NMOS管的漏极接其中一个PMOS管的漏极和栅极以及另一个PMOS管的栅极；其中一个PMOS管的源极和另一个PMOS管的源极接V_IN，该另一个PMOS管的栅极和漏级相连。

2.根据权利要求1所述的一种高边电平移位和驱动电路，其特征在于，所述PMOS管分组至少包括两个PMOS管串联，其中每个PMOS管的漏级连接有该PMOS管的栅极；其串联方式为当前PMOS管的源极连接有下一个PMOS管的栅极和漏级。

3.根据权利要求2所述的一种高边电平移位和驱动电路，其特征在于，第一支路中PMOS管分组中所串联的PMOS管为M个，第二支路中PMOS管分组中所串联的PMOS管为N个，所述M≠N。

4.根据权利要求2所述的一种高边电平移位和驱动电路，其特征在于，第一支路中PMOS管分组中所串联的PMOS管为M个，第二支路中PMOS管分组中所串联的PMOS管为N个，所述M＝N。

5.根据权利要求1所述的一种高边电平移位和驱动电路，其特征在于，所述DRIVER信号为高电平时，

所述高电平产生电路中的NMOS管的栅极电压为低电平，且该NMOS管以及两个PMOS管不导通，所述高电平产生电路不工作；

所述第一功率NMOS管的栅极电压为高电平，所述第一功率NMOS管导通，控制输出低电平的DRIVER_H信号；

所述第一支路和所述第二支路的NMOS管的栅极电压为高电平，V_IN到GND分别通过第一支路和第二支路导通，所述第一支路和所述第二支路的NMOS管导通，并控制第二功率NMOS管导通的同时控制反馈NMOS管导通，使得第一功率NMOS管关断，控制输出低电平的DRIVER_H信号。

6.根据权利要求5所述的一种高边电平移位和驱动电路，其特征在于，所述第一功率NMOS管和所述第二功率NMOS管均为大功率的NMOS晶体管，所述反馈NMOS管为小功率的NMOS晶体管。

7.根据权利要求5所述的一种高边电平移位和驱动电路，其特征在于，所述DRIVER_H的低电平的大小通过第二支路中的电流源及其PMOS管分组的宽长比调节。

8.根据权利要求5或7所述的一种高边电平移位和驱动电路，其特征在于，所述第一支路对所述反馈NMOS管输出的栅极电压不超过所述反馈NMOS管的阈值电压与所述低电平的DRIVER_H信号的电压值之和。

9.根据权利要求1所述的一种高边电平移位和驱动电路，其特征在于，所述DRIVER信号为低电平时，

所述低电平产生电路中的第一支路、第二支路的NMOS管以及第一功率NMOS管的栅极电压为低电平，所述低电平产生电路中所有器件均不导通；

所述高电平产生电路中的NMOS管的栅极电压为高电平，V_IN通过高电平产生电路中的所述另一个PMOS管、NMOS管和电流源导通，并通过电流镜镜像使所述其中一个PMOS管导通，并控制输出高电平的DRIVER_H信号。