[发明专利]一种高边电平移位和驱动电路有效
申请号: | 202110979845.X | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN113708754B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 杨丰;苟超;李鹏;梁盛铭;刘文韬;王菡;廖鹏飞;蒲林;霍改青;刘婷;曾欣;王强 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 王海军 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电平 移位 驱动 电路 | ||
1.一种高边电平移位和驱动电路,包括逻辑电路、低电平产生电路和高电平产生电路;其特征在于,
所述逻辑电路的输入端连接有DRIVER信号和所述低电平产生电路的反馈信号;所述逻辑电路的输出端连接有所述低电平产生电路的第一支路的NMOS管、第二支路的NMOS管、第一功率NMOS管的栅极以及高电平产生电路的NMOS管的栅极,所述逻辑电路的供电电源为VCC,接地为GND;
所述低电平产生电路包括第一支路、第二支路、第一功率NMOS管、第二功率NMOS管以及反馈NMOS管;每个支路包括电流源、NMOS管、电阻以及PMOS管分组;在每个支路中,所述电流源的一端接GND,所述电流源的另一端连接NMOS管的源极,NMOS管的漏级连接电阻的一端,电阻的另一端连接PMOS管分组的漏级,PMOS管分组的源极接VIN;第一支路的电阻的另一端还连接有反馈NMOS管的栅极,反馈NMOS管的漏级连接逻辑电路的输入端,反馈NMOS管的源极连接第二功率NMOS管的源极;第二支路的电阻的一端还连接有反馈NMOS管、第二功率NMOS管的源极以及第一功率NMOS管的漏级,并输出至高电平产生电路的DRIVER_H信号;所述第一功率NMOS管的源极接GND;第二支路的电阻的另一端还连接有第二功率NMOS管的栅极,第二功率NMOS管的漏级接VIN;
所述高电平产生电路包括电流源、NMOS管和两个PMOS管,电流源的一端接GND,所述电流源的另一端接NMOS管的源极,NMOS管的漏极接其中一个PMOS管的漏极和栅极以及另一个PMOS管的栅极;其中一个PMOS管的源极和另一个PMOS管的源极接VIN,该另一个PMOS管的栅极和漏级相连。
2.根据权利要求1所述的一种高边电平移位和驱动电路,其特征在于,所述PMOS管分组至少包括两个PMOS管串联,其中每个PMOS管的漏级连接有该PMOS管的栅极;其串联方式为当前PMOS管的源极连接有下一个PMOS管的栅极和漏级。
3.根据权利要求2所述的一种高边电平移位和驱动电路,其特征在于,第一支路中PMOS管分组中所串联的PMOS管为M个,第二支路中PMOS管分组中所串联的PMOS管为N个,所述M≠N。
4.根据权利要求2所述的一种高边电平移位和驱动电路,其特征在于,第一支路中PMOS管分组中所串联的PMOS管为M个,第二支路中PMOS管分组中所串联的PMOS管为N个,所述M=N。
5.根据权利要求1所述的一种高边电平移位和驱动电路,其特征在于,所述DRIVER信号为高电平时,
所述高电平产生电路中的NMOS管的栅极电压为低电平,且该NMOS管以及两个PMOS管不导通,所述高电平产生电路不工作;
所述第一功率NMOS管的栅极电压为高电平,所述第一功率NMOS管导通,控制输出低电平的DRIVER_H信号;
所述第一支路和所述第二支路的NMOS管的栅极电压为高电平,VIN到GND分别通过第一支路和第二支路导通,所述第一支路和所述第二支路的NMOS管导通,并控制第二功率NMOS管导通的同时控制反馈NMOS管导通,使得第一功率NMOS管关断,控制输出低电平的DRIVER_H信号。
6.根据权利要求5所述的一种高边电平移位和驱动电路,其特征在于,所述第一功率NMOS管和所述第二功率NMOS管均为大功率的NMOS晶体管,所述反馈NMOS管为小功率的NMOS晶体管。
7.根据权利要求5所述的一种高边电平移位和驱动电路,其特征在于,所述DRIVER_H的低电平的大小通过第二支路中的电流源及其PMOS管分组的宽长比调节。
8.根据权利要求5或7所述的一种高边电平移位和驱动电路,其特征在于,所述第一支路对所述反馈NMOS管输出的栅极电压不超过所述反馈NMOS管的阈值电压与所述低电平的DRIVER_H信号的电压值之和。
9.根据权利要求1所述的一种高边电平移位和驱动电路,其特征在于,所述DRIVER信号为低电平时,
所述低电平产生电路中的第一支路、第二支路的NMOS管以及第一功率NMOS管的栅极电压为低电平,所述低电平产生电路中所有器件均不导通;
所述高电平产生电路中的NMOS管的栅极电压为高电平,VIN通过高电平产生电路中的所述另一个PMOS管、NMOS管和电流源导通,并通过电流镜镜像使所述其中一个PMOS管导通,并控制输出高电平的DRIVER_H信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所,未经中国电子科技集团公司第二十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110979845.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。