[发明专利]液处理方法和液处理装置在审
申请号: | 202110980802.3 | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN114141654A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 黄庸根;畠山真一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种液处理方法,其特征在于,包括:
将基片的背面的中心部载置在载置台上,并使该载置台旋转的工序;和
从喷嘴对旋转的所述基片的背面的比周端靠中心的位置供给雾状的处理液,并且使该处理液挥发使得该处理液不会因离心力而被供给到该基片的周端,从而对该基片的背面的环状区域局部地进行处理的工序。
2.如权利要求1所述的液处理方法,其特征在于:
所述处理液是用于对所述基片的背面进行清洗的清洗液。
3.如权利要求1或2所述的液处理方法,其特征在于:
包括在所述基片的背面形成局部地覆盖周缘部的环状膜的工序,
所述对环状区域局部地进行处理的工序,包括使所述处理液挥发使得该环状膜不会被除去的工序。
4.如权利要求1至3中任一项所述的液处理方法,其特征在于:
包括在对所述基片供给所述处理液时,对该基片进行加热的工序。
5.如权利要求4所述的液处理方法,其特征在于:
所述对基片进行加热的工序,包括对所述基片的正面供给用于对该基片进行加热的加热气体的工序。
6.如权利要求1至5中任一项所述的液处理方法,其特征在于:
所述对环状区域局部地进行处理的工序,包括对所述喷嘴同时供给所述处理液的液流和用于使该处理液雾化的雾形成用气体的工序,
所述液处理方法包括加热要对该喷嘴供给的所述处理液的液流或者所述雾形成用气体的工序。
7.如权利要求1至6中任一项所述的液处理方法,其特征在于:
包括在对所述基片供给所述雾状的处理液时,对该基片的背面供给用于促进该处理液的挥发的干燥气体的工序。
8.如权利要求1至7中任一项所述的液处理方法,其特征在于:
所述喷嘴的释放口在所述基片上投影得到的投影区域的沿着所述基片的径向的长度,小于所述投影区域的与该径向正交的方向的长度。
9.如权利要求1至8中任一项所述的液处理方法,其特征在于:
包括与被载置在所述载置台上的所述基片的状态相应地,利用驱动机构改变所述喷嘴的相对于该基片的位置或者相对于该基片的朝向,来改变所述基片的被供给所述雾状的处理液的位置的工序。
10.如权利要求9所述的液处理方法,其特征在于:
包括在所述基片的背面形成局部地覆盖周缘部的环状膜的工序,
所述基片的状态是指所述环状膜的靠该基片的中心的端部的位置。
11.一种液处理装置,其特征在于,包括:
载置台,其用于载置基片的背面的中心部;
用于使该载置台旋转的旋转机构;和
喷嘴,其用于对旋转的所述基片的背面的比周端靠中心的位置供给雾状的处理液,使得所述处理液挥发而不会在离心力的作用下被供给到所述基片的周端,从而对该基片的背面的环状区域局部地进行处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造