[发明专利]一种用于充电芯片的多环路控制电路在审

专利信息
申请号: 202110980954.3 申请日: 2021-08-25
公开(公告)号: CN113690980A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 卢峰 申请(专利权)人: 上海南芯半导体科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 200120 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 充电 芯片 环路 控制电路
【权利要求书】:

1.一种用于充电芯片的多环路控制电路,包括第一误差放大器、第二误差放大器、模拟选低电路、输出控制电路;第一误差放大器的同相输入接基准电压,其反相输入端接输出反馈电压;第二误差放大器的同相输入端接基准电流,其反相输入端接输出检测电流;第一误差放大器的输出端和第二误差放大器的输出端均接模拟选低电路的输入端,模拟选低电路从第一误差放大器、第二误差放大器的输出中选择较小值作为输出控制电路的输入,输出控制电路根据输入去调节输出电流,实现恒定输出电压或恒定最大输出电流的目的;其特征在于,还包括跟随电路,所述跟随电路的输入为模拟选低电路的输出,跟随电路的输出用于反馈调节第一误差放大器、第二误差放大器的输出;

所述跟随电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、电阻、偏置电流源;偏置电流源的输入接电源VDD,输出通过电阻后接第一PMOS管的源极,第一PMOS管的栅极接模拟选低电路的输出,第二PMOS管的源极接偏置电流源的输出;

第一NMOS管的漏极接第一PMOS管的漏极,第一NMOS管的栅极接第二PMOS管的漏极,第一NMOS管的源极接地;第二NMOS管的漏极和栅极接第二PMOS管的漏极,第二NMOS管的源极接地;

第三NMOS管的漏极和栅极接第一PMOS管的漏极,第三NMOS管的源极接地,第四NMOS管的栅极接第一PMOS管的漏极,第四NMOS管的源极接地;

第二PMOS管的栅极、第四NMOS管的漏极连接作为跟随电路的输出,连接第一误差放大器的输出或者第二误差放大器的输出。

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