[发明专利]显示装置以及制造显示装置的方法在审
申请号: | 202110981565.2 | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN114141801A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 金勳;苏明秀;张殷齐;朱章福;崔埈厚 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘美华;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
分隔壁,位于所述基底上并且限定开口;
第一堤,位于所述基底上并且与所述分隔壁一体地形成;
第一电极,位于所述分隔壁和所述第一堤上;以及
发光元件,定位在所述开口中并且电连接到所述第一电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述分隔壁和所述第一堤包括相同的材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述分隔壁的高度低于所述第一堤的高度。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电极位于所述第一堤的侧表面上。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一堤的侧表面的至少一部分不被所述第一电极覆盖。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电极位于所述第一堤的顶表面上。
7.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括位于所述分隔壁上的第二电极,
其中,所述发光元件电连接到所述第二电极,
其中,所述第二电极位于所述第一堤上,并且
其中,所述第二电极位于所述第一堤的侧表面和顶表面上。
8.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
绝缘层,位于所述发光元件上;以及
波长转换层,位于所述绝缘层上并且被构造为将从所述发光元件发射的光的波长进行转换,
其中,所述波长转换层与在所述第一堤的侧表面上的所述第一电极接触。
9.根据权利要求8所述的显示装置,所述显示装置还包括位于所述第一堤的顶表面上的第二堤,
其中,所述第一堤的高度高于所述第二堤的高度,并且
其中,所述波长转换层与所述第二堤的侧表面接触。
10.一种用于制造显示装置的方法,所述方法包括:
在基底上形成光致抗蚀剂层;
使用半色调掩模将所述光致抗蚀剂层曝光,所述半色调掩模包括阻挡光的挡光部、按原样透射光的第一透光部和透射所述光的一部分的第二透光部;
使所述光致抗蚀剂层显影以并行地形成开口、具有第一高度的分隔壁和具有第二高度的堤;
在所述开口中、以及所述分隔壁和所述堤上形成第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极彼此间隔开;以及
在所述开口中施用包含发光元件的涂覆溶液,在所述第一电极与所述第二电极之间形成电场以使所述发光元件对准,并且去除所述涂覆溶液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的