[发明专利]同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线

权利要求书

1.同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于包括多个3G频段天线单元(01)、多个4G频段天线单元(02)；

所述3G频段天线单元(01)包括介质基板(011)、馈电贴片(013)、第一辐射贴片(012)、第一馈电网络(015)；所述第一馈电网络(015)包括耦合到第一馈电贴片(013)的不同宽度的第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)，且第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)垂直设置；所述第二阻抗线(0152)采用H型阻抗线；所述第一阻抗线(0151)为轴对称设置的第一T型阻抗线(01511)和第二T型阻抗线(01512)构成的H型阻抗线，且第一T型阻抗线(01511)和第二T型阻抗线(01512)与第二阻抗线(0152)不相交；第一T型阻抗线(01511)和第二T型阻抗线(01512)分别通过贯穿第一中间介质基板(0112)的第一金属通孔(0161)、第二金属通孔(0162)并与第二馈电贴片连接；第一阻抗线(0151)、第二阻抗线(0152)分别设置第一探头(0182)、第二探头(0181)；馈电端口由第一同轴电缆(0141)和第二同轴电缆(0142)组成；第一同轴电缆(0141)的底部与第一底层介质基板(0113)接触，顶部与第一阻抗线(0151)的第一探头(0182)连接；第二同轴电缆(0142)的底部与第一底层介质基板(0113)接触，顶部与第二阻抗线(0152)的第二探头(0181)连接；第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)均产生一个极化；

所述4G频段天线单元(02)包括第二顶层介质基板(021)、第一底层介质基板(0113)、第二辐射贴片(023)、巴伦(027)、第二馈电网络(022)，其中第二馈电网络(022)包括子馈电网络A(0221)、子馈电网络B(0222)；第二辐射贴片(023)包括位于顶层介质基板上方的呈中心对称的四个多边形金属贴片(0231)以及位于第一底层介质基板(0113)上方的矩形贴片(0232)；在第二顶层介质基板(021)与矩形贴片(0232)之间设置有巴伦(027)；所述四个多边形金属贴片(0231)构成对称的平面偶极臂；

巴伦(027)和子馈电网络A(0221)、子馈电网络B(0222)形成两个半波长谐振器，在上阻带形成两个辐射零点；同时巴伦(027)与多边形金属贴片(0231)之间的辐射抵消产生另外一个辐射零点。

2.如权利要求1所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于每个3G频段天线单元(01)的四周设置四个4G频段天线单元(02)。

3.如权利要求2所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于4G频段天线单元(02)关于3G频段天线单元(01)中心对称。

4.如权利要求2所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于相邻3G频段天线单元(01)共用4G频段天线单元(02)。

5.如权利要求1所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于所述3G频段天线单元(01)中介质基板(011)包括第一顶层介质基板(0111)、第一中间介质基板(0112)、第一底层介质基板(0113)；第一顶层介质基板(0111)的上方设置第一辐射贴片(012)；第一顶层介质基板(0111)与第一中间介质基板(0112)之间设置馈电贴片(013)；馈电贴片(013)贴于第一中间介质基板(0112)的上方；第一中间介质基板(0112)与第一底层介质基板(0113)之间设置第一馈电网络(015)。

6.如权利要求1所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于所述3G频段天线单元(01)中所述馈电贴片(013)包括中间开有缺口(017)的第一馈电贴片，以及位于缺口(017)内的第二馈电贴片；第一馈电贴片与第二馈电贴片不接触。

7.如权利要求1所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于所述3G频段天线单元(01)中第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)的两端均位于第一馈电贴片的下方非缺口位置。