[发明专利]一种用于检测硅片的缺陷的方法在审
| 申请号： | 202110982198.8 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113702405A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李阳;徐鹏;衡鹏;张婉婉 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 李斌栋;姚勇政 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市市辖*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 硅片 缺陷 方法 | ||
1.一种用于检测硅片的缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
S101：利用X射线形貌仪对所述硅片的整个主表面进行单次第一检测，以获取所述主表面的整体缺陷信息；
S102：根据所述整体缺陷信息确定出形成在所述硅片中的所述缺陷在所述主表面中的分布位置；
S103：利用所述X射线形貌仪在所述主表面中的所述分布位置处对所述硅片中沿着硅片厚度方向平行地排列的多个不同层进行相应的多次第二检测，以获得所述缺陷在所述多个不同层中的相应的多个二维形状；
S104：对所述多个二维形状进行拟合获得所述缺陷的三维形状。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述第一检测之前利用氢氟酸对所述硅片进行清洗以去除所述硅片的表面的硅氧化物层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述X射线形貌仪采用反射模式执行所述第一检测。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述X射线形貌仪的X射线发射源采用铜靶并且与准直器配合。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，衍射面采用{224}，衍射角采用88.02°，并且所述准直器采用{224}晶面。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述X射线形貌仪采用透射模式执行所述第二检测。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述X射线形貌仪的X射线发射源采用钼靶。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，衍射面采用{400}，衍射角采用30.28°。
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