[发明专利]一种调控非晶/非晶纳米多层膜加工硬化能力的方法

权利要求书

1.一种调控非晶/非晶纳米多层膜加工硬化能力的方法，其特征在于，采用磁控溅射的方法沉积第一非晶层，然后在第一层非晶上再沉积第二层非晶，交替沉积形成非晶/非晶纳米多层膜；

具体包括以下步骤：

1)将直径为50±2毫米的单面抛光单晶硅基片清洗干净，然后放入超高真空磁控溅射设备基片台上固定，准备镀膜；

2)将需要溅射的第一层非晶靶材和第二层非晶靶材分别安置在相应的靶材座上；

3)硅片溅射沉积时，采用直流和射频电源分别连接对应的靶材，溅射过程中先在硅基体上用直流电源镀制第一层非晶，以该第一层非晶作为第二层非晶生长的基底，然后交替沉积第一层非晶和第二层非晶以形成多层薄膜，最终达到设定的单层厚度和总厚度。

2.根据权利要求1所述的一种调控非晶/非晶纳米多层膜加工硬化能力的方法，其特征在于，步骤1)中，单面抛光单晶硅基片的取向为(100)，分别用丙酮、酒精和蒸馏水超声清洗15-20分钟至洁净。

3.根据权利要求1所述的一种调控非晶/非晶纳米多层膜加工硬化能力的方法，其特征在于，步骤2)中，第一层非晶靶材的成分为Zr₅₀Cu₅₀(原子百分比)；第二层非晶靶材的成分原子百分比为Ni₅₀Nb₅₀。

4.根据权利要求1所述的一种调控非晶/非晶纳米多层膜加工硬化能力的方法，其特征在于，步骤3)中，电源的功率和对应的沉积速率分别为直流电源100±5W，沉积速率为5±0.4nm/min；射频电源120±6W，沉积速率为5±0.4nm/min。

5.根据权利要求1所述的一种调控非晶/非晶纳米多层膜加工硬化能力的方法，其特征在于，步骤3)中，基片台为常温下进行，沿顺时针方向旋转，旋转速度为175°-185°/min。

6.根据权利要求1所述的一种调控非晶/非晶纳米多层膜加工硬化能力的方法，其特征在于，步骤3)中，第一组多层膜的第一层非晶和第二层非晶的单层厚度分别为5±0.4纳米和5±0.4纳米。

7.根据权利要求1所述的一种调控非晶/非晶纳米多层膜加工硬化能力的方法，其特征在于，步骤3)中，第二组多层膜的第一层非晶和第二层非晶的单层厚度分别为15±1.2纳米和5±0.4纳米。

8.根据权利要求1所述的一种调控非晶/非晶纳米多层膜加工硬化能力的方法，其特征在于，步骤3)中，两组非晶/非晶纳米多层膜的总厚度均为2±0.15微米。