[发明专利]一种发光二极管超临界处理方法

权利要求书

1.一种发光二极管超临界处理方法，其特征在于，包括：

提供一发光二极管以及第一物质；

根据所述发光二极管的半导体结构所具有的第一元素，选取第二物质；

对所述第一物质进行超临界化处理，获取超临界态的第一物质，其中，处理温度T为T1≤T，处理压力P为P1≤P，T1为所述第一物质的临界温度，P1为所述第一物质的临界压力；

通过超临界态的第一物质对所述第二物质进行处理，以得到超临界态的第二物质；

通过超临界态的第二物质对所述半导体结构进行晶体缺陷修复。

2.如权利要求1所述的发光二极管超临界处理方法，其特征在于，在常温常压下，所述第一物质为气态无机物、气态有机物或液态有机物。

3.如权利要求1所述的发光二极管超临界处理方法，其特征在于，所述第一物质为烷烃、烯烃、炔烃、饱和卤代烃、醇类有机物、醛类有机物、酯类有机物、酮类有机物、酚类有机物、醚类有机物、酰类有机物或羧酸类有机物，且所述第一物质为流体。

4.如权利要求1所述的发光二极管超临界处理方法，其特征在于，所述第一物质为二氧化碳、四氟化碳、水、氮气、氨或惰性气体。

5.如权利要求1所述的发光二极管超临界处理方法，其特征在于，所述第二物质具有所述第一元素，或所述第二物质具有的元素与所述第一元素同族或临族。

6.如权利要求5所述的发光二极管超临界处理方法，其特征在于，所述半导体结构为所述发光二极管的有源层，所述晶体缺陷为点缺陷或线缺陷。

7.如权利要求6所述的发光二极管超临界处理方法，其特征在于，所述有源层的材料为氮化镓或氮化镓铝，所述第二物质为含有氮元素的纯净物，所述第二物质为流体。

8.如权利要求7所述的发光二极管超临界处理方法，其特征在于，所述第二物质为氨或氮气。

9.如权利要求1所述的发光二极管超临界处理方法，其特征在于，所述第二物质的质量分数小于或等于5％，或所述第二物质体积分数小于或等于5％。