[发明专利]CMOS图像传感器及其读取方法在审
申请号: | 202110984935.8 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113709391A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 任张强 | 申请(专利权)人: | 锐芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/355 | 分类号: | H04N5/355;H04N5/374;H04N5/378;H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张凤伟;吴敏 |
地址: | 215301 江苏省苏州市昆山市开发*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 及其 读取 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器,所述CMOS图像传感器包括像素阵列;所述像素阵列由若干呈阵列分布的像素结构构成;其特征在于,所述CMOS图像传感器还包括:
至少一个开关电路;
其中,所述开关电路位于所述像素阵列同一列任意两像素结构的浮动扩散节点之间;所述开关电路适于在对所连接的像素结构执行读取操作过程中断开或闭合,以调整当前待读取像素结构浮动扩散节点处的电容值。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述CMOS图像传感器包括两个以上所述开关电路。
3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述像素阵列同一列所有相邻像素结构的浮动扩散节点之间,均设置有所述开关电路。
4.如权利要求2所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述像素阵列同一列部分相邻像素结构的浮动扩散节点之间,设置有所述开关电路。
5.如权利要求3或4所述的CMOS图像传感器,其特征在于,用于调整同一待读取像素结构浮动扩散节点处电容值的K个开关电路,将所述像素阵列中同一列连续K行像素结构的浮动扩散节点连接,所述连续K行像素结构包括所述待读取像素结构,K为正整数。
6.如权利要求2所述的CMOS图像传感器,其特征在于,与所述像素阵列中相同两行像素结构连接的所有开关电路,与同一开关控制信号输出端连接;所述开关控制信号输出端适于输出开关控制信号,以控制所述开关电路的断开或闭合。
7.如权利要求1所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述开关电路包括:开关晶体管,所述开关晶体管的栅极适于输入开关控制信号,漏极与所述像素阵列中第一像素结构的浮动扩散节点连接,源极与所述像素阵列中第二像素结构的浮动扩散节点连接;所述第一像素结构及第二像素结构位于所述像素阵列的同一列。
8.如权利要求6或7所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述CMOS图像传感器还包括:
开关控制信号产生电路,具有开关控制信号输出端,适于通过所述开关控制信号输出端输出开关控制信号至相应的开关电路。
9.如权利要求8所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述开关控制信号产生电路输出的开关控制信号包括:第一开关控制信号及第二开关控制信号;所述第一开关控制信号适于输出至第一预设数量的开关电路;所述第二开关控制信号适于输出第二预设数量的开关电路;所述第一预设数量大于所述第二预设数量;所述第一预设数量的开关电路及第二预设数量的开关电路中至少一个开关电路,与所述当前待读取像素结构浮动扩散节点连接。
10.如权利要求9所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述第一预设数量及第二预设数量的取值,与所述CMOS图像传感器当前场景需求相匹配。
11.如权利要求1所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述CMOS图像传感器还包括:像素读出电路阵列,所述像素读出电路阵列由若干呈阵列方式分布的读出电路构成,同一列的像素结构经同一位线与同一读出电路连接。
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